[发明专利]场发射显示器有效
申请号: | 200810066119.3 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101540260A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 柳鹏;范守善;刘亮;姜开利 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/04;H01J1/304;H01J29/20 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 显示器 | ||
1.一种场发射显示器,其包括:
一透明基板;
多个支撑体;
一绝缘基底通过所述多个支撑体与透明基板相对间隔设置;
多个行电极与列电极分别平行且等间隔设置于该绝缘基底上,该多个行电 极与多个列电极交叉设置,每两个相邻的行电极与每两个相邻的列电极交 叉构成一个网格,且行电极与列电极之间电绝缘;
多个像素单元,每个像素单元对应一个网格设置,每个像素单元包括一荧 光粉层及间隔设置的一个阳极电极与一个阴极电极,以及一阴极发射体, 该阳极电极和阴极电极分别与相应行电极与列电极电连接,该阴极发射体 一端与所述阴极电极电连接;
其特征在于,所述的荧光粉层设置于相应阳极电极表面,所述阴极发射体 的另一端与相应阳极电极间隔设置并直接指向该阳极电极表面的荧光粉 层,该阴极发射体与所述绝缘基底间隔设置,所述每个像素单元中的阴极 电极与阳极电极之间仅设置阴极发射体。
2.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述阴极发射体的另一 端与所述阳极电极之间的间距为1微米~200微米。
3.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述阴极发射体包括一 个电子发射体或多个平行且等间隔排列的电子发射体。
4.如权利要求3所述的场发射显示器,其特征在于,所述电子发射体之间的 间距为1纳米~100纳米。
5.如权利要求3所述的场发射显示器,其特征在于,所述电子发射体包括硅 线、单根碳纤维或碳纳米管长线。
6.如权利要求5所述的场发射显示器,其特征在于,所述碳纳米管长线中包 括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管束,且相邻碳纳米管束之间通 过范德华力连接。
7.如权利要求6所述的场发射显示器,其特征在于,所述的碳纳米管束包括 多个平行且紧密排列的碳纳米管。
8.如权利要求7所述的场发射显示器,其特征在于,所述碳纳米管为单壁碳 纳米管,双壁碳纳米管或多壁碳纳米管。
9.如权利要求8所述的场发射显示器,其特征在于,所述碳纳米管的长度为 10微米~100微米,直径小于15纳米。
10.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述行电极与列电极交 叉处设置有一介质绝缘层。
11.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述多个像素单元对应 网格设置成阵列,且设置于同一行的像素单元的阳极电极与同一个行电极 电连接,设置于同一列的像素单元的阴极电极与同一个列电极电连接。
12.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述的像素单元进一步 包括一选择性固定电极,该选择性固定电极设置于相应阴极电极之上。
13.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述的荧光粉层材料为 低压荧光粉或高压荧光粉,厚度为5微米~50微米。
14.如权利要求1所述的场发射显示器,其特征在于,所述阴极发射体包括一 个或多个电子发射端与阳极间隔设置并直接指向阳极电极表面的荧光粉 层。
15.如权利要求1中的任意一所述的场发射显示器,其特征在于,所述阴极发 射体的一端固定于所述阴极电极表面并通过该阴极电极与基底间隔设置。
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