[发明专利]场发射显示器有效
申请号: | 200810066119.3 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101540260A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 柳鹏;范守善;刘亮;姜开利 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/04;H01J1/304;H01J29/20 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种场发射显示器,尤其涉及一种大面积平面场发射显示器。
背景技术
碳纳米管(Carbon Nanotube,CNT)是一种新型碳材料,由日本研究人员 Iijima在1991年发现,请参见″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″,S. Iijima,Nature,vol.354,p56(1991)。碳纳米管具有极大的长径比(其长度在微 米量级以上,直径只有几个纳米或几十个纳米),具有良好的导电导热性能, 并且还有很好的机械强度和良好的化学稳定性,这些特性使得碳纳米管成为 一种优良的场发射材料。因此,碳纳米管在场发射装置中的应用成为目前纳 米科技领域的一个研究热点。
场发射显示器是继阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器、等离子显 示器之后,最具发展潜力的下一代新兴显示器。场发射显示器与其它显示器 相比,具有更高的对比度、更广的视角、更高的亮度、更低的能量消耗、更 短的响应时间以及更宽的工作温度等优点,可适合作照明光源、平板显示器 及室外用的全色大屏幕显示屏以及各种广告显示面板等。
现有技术提供一种场发射显示器100。请参考图1及图2,该场发射显示器 100包括:一玻璃基板110,多个支撑体140,一绝缘基底130,玻璃基板110 与绝缘基底130由多个支撑体140间隔设置且真空封装在一起。玻璃基板110 面对绝缘基底130的表面形成有一金属导电层116,一荧光粉层114,一滤光膜 112。在绝缘基底130面对玻璃基板110的表面形成有多个交叉设置的行电极 134与列电极132。所述的多个行电极134与多个列电极132分别平行且等间隔 的交叉设置于绝缘基底130表面,行电极134与列电极132交叉处设有绝缘层 136。每两个相邻的行电极134与每两个相邻的列电极132形成一网格138,且 每个网格138定位一个电子发射单元120。每一个电子发射单元120由一个阴极 电极125、一个阳极电极126以及覆盖阴极电极125与阳极电极126的阴极发射 体127组成。所述阴极电极125与阴极电极125对应的列电极132电连接,阳极 电极126与阳极电极126对应的行电极134电连接,在所述阴极发射体127的中 央形成有一个电子发射间隙124。所述阴极发射体127为一导电薄膜。
上述场发射显示器在工作时,电子发射单元120的阴极电极125与阳极电 极126之间的电压由与之对应电连接的列电极132与行电极134控制,由于电子 发射单元120的两个电极之间的阴极发射体127中电子发射间隙124的宽度为 纳米级,基于量子隧道效应的原理,电子发射间隙124在阴极电极125与阳极 电积126之间的电压作用下形成隧道电流(请参见,表面传导电子发射显示技 术进展,液晶与显示,V21,P226-231(2006))。在玻璃基板110表面的金属 导电层116上加一高电压,使得金属导电层116与绝缘基底130之间形成一强电 场,隧道电流中的电子在该强电场的作用下轰击到玻璃基板110表面的荧光层 114上,从而实现发光显示。
上述场发射显示器100存在以下缺点:第一,阴极发射体127的发射间隙 124的宽度非常小,造成所形成的隧道电流的电流强度很大,所以该场发射显 示器的能耗很大。第二,该场发射显示器的荧光粉层114设置于玻璃基板110 表面,由于发射间隙124中隧道电流的电流强度很大,所以隧道电流中的电子 在玻璃基板110表面的金属导电层116与绝缘基底130之间的电场的作用下,仅 有少量的电子轰击到透明基板110的荧光粉层114上,导致了荧光粉层114发光 效率低。第三,由于制备工艺所限制,在采用包含金属化合物的导电薄膜作 为阴极发射体127制作的大面积场发射电子器件100中,各个电子发射间隙124 的大小及位置不一,从而导致场发射显示器的电子发射的整体均匀性较差。
有鉴于此,确有必要提供一种能耗低、荧光粉层发光效率高且电子发射 性能稳定的大面积场发射显示器。
发明内容
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