[发明专利]一种碳纳米管阵列的生长方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于包括以下步骤：

1)提供一基底，在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层，得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底，所述缓冲层为氧化铝层，氧化铝层的厚度为10～30nm，所述催化剂为单质铁，或单质钴，或单质镍，或单质铁、单质钴、单质镍三者的合金，催化剂层的厚度为0.5～2nm；

2)将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上；

3)启动微区加热控制电源，直接以加热片为加热装置对基底加热；

4)通入载气和碳源气；

5)关闭微区加热控制器电源，将基底取出，得到样品。

2.如权利要求1所述的一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于基底为硅片或石英片。

3.如权利要求1所述的一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于加热片为硅片、石墨片、陶瓷片或金属片。

4.如权利要求1所述的一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于加热的温度为750～850℃。

5.如权利要求1所述的一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于载气为氮气与氢气的混合气，或惰性气体与氢气的混合气。

6.如权利要求5所述的一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于所述惰性气体为氩气。

7.如权利要求1所述的一种碳纳米管阵列的生长方法，其特征在于碳源为甲烷、乙烯或乙炔含碳气源；按体积比，载气与碳源气的通气量为10～40∶1。