[发明专利]一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法无效
| 申请号： | 200810072362.6 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101748475A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;江爱栋 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B11/00;C30B29/22;C01B35/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 尺寸 质量 lbo 晶体 特殊 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法，其特征是在晶体生长过程中，在溶液中加入搅拌叶片，用B2O3和LiF作助熔剂。
2.如权利要求1所述的一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法，其特征是晶体与搅拌叶片转速为4.5-9转/分钟。
3.如权利要求1所述的一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法，其特征是用B2O3和LiF作助熔剂加入量为40-60mol％。
4.一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法，其特征是在晶体生长过程中，晶体与搅拌叶片转速为4.5-9转/分钟；降温速度为0.5-1℃/天。
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