[发明专利]覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构及其制程无效
申请号: | 200810074059.X | 申请日: | 2008-02-18 |
公开(公告)号: | CN101515555A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 吴政庭;林鸿村;陈煜仁;林峻莹 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆晶式 四方 扁平 引脚 封装 结构 及其 | ||
1.一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,包括:
提供一包含多个引脚的导线架;
在该导线架上形成一介电层,该介电层暴露出该些引脚的上表面与下表面;
在该介电层上形成一重配置线路层,该重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接该些焊垫和该些引脚的上表面的导线;
形成一防焊层,覆盖该重配置线路层、该介电层与该些引脚,且该防焊层暴露出该些焊垫的表面;
在该防焊层上形成一粘着层;
提供一晶片,该晶片上具有多个凸块;以及
借由该粘着层使该晶片贴附于该防焊层上,以使各该凸块分别与其中一个焊垫电性连接。
2.如权利要求1所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其特征在于,还包括形成一封装胶体,以包覆该晶片、该防焊层与该介电层,以及填满该晶片与该防焊层所包围形成的空间,且该封装胶体裸露出该些引脚的下表面。
3.如权利要求2所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其特征在于,还包括:
在该介电层中形成至少一贯通开口;
该重配置线路层的该些焊垫形成于该贯通开口周围;以及
在该防焊层中暴露出该贯通开口。
4.如权利要求1所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其特征在于,该介电层的厚度小于或等于该些引脚的高度。
5.如权利要求1所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其特征在于,该导线架还包含一框架,而该些引脚与该框架连接且沿该框架中心延伸而呈阵列排列或呈单列排列。
6.一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,包括:
一介电层;
多个引脚,配置在该介电层中,且暴露出其上表面与下表面;
一重配置线路层,配置在该介电层上,该重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接该些焊垫和该些引脚的上表面的导线;
一防焊层,覆盖该重配置线路层、该介电层与该些引脚,且该防焊层暴露出该些焊垫的表面;
一粘着层,配置在该防焊层上;以及
一晶片,该晶片上具有多个凸块,且借由该粘着层以贴附于该防焊层上,而各该凸块分别与其中一个焊垫电性连接。
7.如权利要求6所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,其特征在于,还包括一封装胶体,包覆该晶片、该防焊层与该介电层,以及配置于该晶片与该防焊层所包围形成的空间,且该封装胶体裸露出该些引脚的下表面。
8.如权利要求7所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,其特征在于,该介电层中具有至少一贯通开口,且在该防焊层中暴露出该贯通开口。
9.如权利要求8所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,其特征在于,在该贯通开口内更包括配置有该封装胶体。
10.如权利要求6所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,其特征在于,该介电层的表面与该些引脚的上表面切齐,且该介电层的厚度小于或等于该些引脚的高度。
11.如权利要求6所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,其特征在于,该粘着层的材质包括环氧树脂或具双阶特性的热固性胶材。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造