[发明专利]覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构及其制程无效

专利信息
申请号: 200810074059.X 申请日: 2008-02-18
公开(公告)号: CN101515555A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 吴政庭;林鸿村;陈煜仁;林峻莹 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/48;H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈 亮
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 覆晶式 四方 扁平 引脚 封装 结构 及其
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种封装制程与封装结构,且特别是有关于一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构及其封装制程。

背景技术

在半导体产业中,集成电路(integrated circuits,IC)的生产主要可分为三个阶段:集成电路的设计(IC design)、集成电路的制作(IC process)及集成电路的封装(IC package)。其中,封装的目的在于,防止晶片受到外界温度、湿气的影响以及杂尘污染,并提供晶片与外部电路之间电性连接的媒介。

在半导体封装制程当中,包含有许多种封装形态。目前,以四方扁平无引脚(Quad Flat Non-Leaded,QFN)封装结构因具有较短的信号传递路径,且具有较快的信号传递速度等优点,因此一直是低脚位构装型态的主流之一,适用于高频传输(例如射频频带)的晶片封装结构之中。

但是,现行的四方扁平无引脚封装结构,大多是采用打线接合(wire bonding)的方式,以使晶片电性连接至承载器上,而承载器例如为一导线架(lead frame)或一封装基板(package substrate)。然而,此种封装结构形态的缺点在于制作成本较高与体积较大。此外,目前一般覆晶形式的QFN封装体,晶片焊垫都借由凸块而直接与引脚电性接触,因此该覆晶QFN封装体的晶片尺寸的大小就必定得跟该导线架引脚的尺寸大小相同,而无法使用小尺寸晶片来降低封装成本。然而,目前晶片尺寸已经朝向微小化,因此在集成电路封装技术中,如何利用小尺寸晶片形成QFN封装体以及如何使四方扁平无接脚封装结构更为小型化,实为一待解决的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的就是在提供一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,能够更为降低封装体厚度,且可提高制程便利性。

本发明的另一目的是提供一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装结构,能够借由介电层与重配置线路层的设计而可应用于具有不同焊垫排列型态的晶片,另外,更因为能使用更微小尺寸的晶片形成QFN封装体,因而得以降低封装成本。

基于上述目的,本发明提出一种覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程。首先,提供一包含多个引脚的导线架。然后,在导线架上形成一介电层,介电层暴露出这些引脚的上表面与下表面。之后,在介电层上形成一重配置线路层,而重配置线路层包含多个焊垫以及多条连接这些焊垫和这些引脚的上表面的导线。接着,形成一防焊层,覆盖重配置线路层、介电层与这些引脚,且防焊层暴露出这些焊垫的表面。继而,在防焊层上形成一粘着层。然后,提供一晶片,晶片上具有多个凸块,而且借由粘着层使晶片贴附于防焊层上,以使各凸块分别与其中一个焊垫电性连接。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,还包括形成一封装胶体,以包覆晶片、防焊层与介电层,以及填满晶片与防焊层所包围形成的空间,且封装胶体裸露出该些引脚的下表面。在一实施例中,还可进一步包括,在介电层中形成至少一贯通开口,而重配置线路层的这些焊垫形成于贯通开口周围,且在防焊层中暴露出贯通开口。另外,在贯通开口中还包括填充有封装胶体。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其中形成重配置线路层的方法例如是溅镀制程。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其中介电层的材质例如是环氧树脂。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其中粘着层的材质例如是环氧树脂或具双阶特性的热固性胶材。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其中介电层的厚度小于或等于这些引脚的高度。在一实施例中,封装胶体包覆这些引脚的侧边。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其中形成防焊层的方法例如是涂布制程。

依照本发明的实施例所述的覆晶式四方扁平无引脚型态封装制程,其中导线架还包含一框架,而这些引脚与框架连接且沿框架中心延伸而呈阵列排列或呈单列排列。

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