[发明专利]混合衬底上的抗闭锁半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，包括第一半导体区、与所述第一半导体区并置的第二半导体区、和在所述第一和第二半导体区下面的第三半导体区，所述第三半导体区具有第一导电类型；

所述第二和第三半导体区之间的绝缘层；和

在所述衬底中在所述第一半导体区和所述第三半导体区之间的位置的第一导电区，所述第一导电区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述第一半导体区具有所述第一导电类型。

3.根据权利要求2的半导体结构，还包括：

所述第一半导体区和所述第一导电区之间的所述第一导电类型的第二导电区，所述第二导电区用比所述第一半导体区高的掺杂浓度掺杂。

4.根据权利要求3的半导体结构，还包括：

所述第一导电区和所述第一半导体区之间的所述第一导电类型的第三导电区，所述第三导电区用比所述第一导电区低的掺杂浓度掺杂。

5.根据权利要求1的半导体结构，其中所述第一和第二半导体区具有不同的结晶晶向。

6.根据权利要求5的半导体结构，其中所述不同晶向选自由(100)晶向、(110)晶向、和(111)晶向组成的组。

7.根据权利要求1的半导体结构，其中所述第一半导体区具有所述第一导电类型，并且所述第二半导体区具有所述第二导电类型。

8.根据权利要求7的半导体结构，还包括：

在所述第一半导体区中具有第二导电类型的源极和漏极区的第一场效应晶体管；和

在所述第二半导体区中具有第一导电类型的源极和漏极区的第二场效应晶体管。

9.根据权利要求1的半导体结构，其中所述第一和第二半导体区界定顶表面，所述绝缘层在所述第一和第三半导体区之间，并且所述第一导电区在所述第二和第三半导体区之间。

10.根据权利要求9的半导体结构，还包括：

包括介电材料并且在所述第一和第二半导体区之间的浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区从所述顶表面延伸以便与所述绝缘层相交并且与所述第一导电区相交。

11.根据权利要求10的半导体结构，还包括：

从所述顶表面穿过所述浅沟槽隔离区延伸至所述第一导电区的通孔；和

在所述通孔中建立与所述第一导电区的电接触的导电柱。

12.根据权利要求11的半导体结构，还包括：

在所述体衬底中与所述第一导电区相邻并且与所述导电柱对准的第二导电区，所述第二导电区将所述第一导电区与所述导电柱电耦合。

13.根据权利要求1的半导体结构，还包括：

所述第一和第二半导体区之间以及所述绝缘层和所述第一导电层之间的导电隔离体，所述导电隔离体电耦合所述第一和第二半导体区。

14.根据权利要求1的半导体结构，其中所述第一导电区是连续的并且在所述绝缘层和所述第一和第二半导体区的下面延伸。

15.一种使用绝缘体上半导体衬底的半导体结构的制造方法，所述衬底具有半导体层、所述半导体层下面的第一导电类型的体半导体区、和所述半导体层和体半导体区之间的绝缘层，所述方法包括：

形成开口，所述开口具有从所述半导体层的顶表面延伸穿过所述半导体层和绝缘层至与体半导体区相交的底部的侧壁；

形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的导电区，并且该导电区布置在接近所述开口的底部的体半导体区中；并且

用从所述开口的底部向顶表面外延生长的半导体材料填充所述开口。

16.根据权利要求15的方法，其中形成所述导电区还包括：

在形成开口之前，将能够提供第二导电类型的掺杂剂的离子注入穿过所述半导体层和绝缘层并且进入体半导体区。

17.根据权利要求15的方法，其中形成所述导电区还包括：

用注入掩模覆盖相邻于所述开口的半导体层的区；并且

将能够提供第二导电类型的掺杂剂离子注入所述开口的底部下面的体半导体区。