[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：焊盘电极，其设于半导体衬底的第一主面；钝化膜，其覆盖所述焊盘电极；通孔，其使所述焊盘电极自所述半导体衬底的第二主面露出；配线层，其通过所述通孔与所述焊盘电极电连接。

2、一种半导体装置，其特征在于，包括：焊盘电极，其设于半导体衬底的第一主面；支承衬底，其形成在所述焊盘电极上；通孔，其使所述焊盘电极自所述半导体衬底的第二主面露出；配线层，其通过所述通孔与所述焊盘电极电连接。

3、如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具有绝缘层，其形成在所述通孔的侧壁，将所述配线层与所述半导体衬底电绝缘。

4、如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述配线层不完全地埋入到所述通孔内。

5、如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，具有与所述配线层电连接的导电端子。

6、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下的工序：

准备具有形成有焊盘电极的第一主面的半导体衬底，形成用于使所述焊盘电极自所述半导体衬底的第二主面露出的通孔；

在所述通孔的内部和所述半导体衬底的第二主面整个面上形成绝缘膜；

蚀刻所述绝缘膜将所述通孔底部的绝缘膜除去；

形成通过所述通孔与所述焊盘电极电连接并且自所述通孔开始在所述第二主面上延伸的配线层；

将所述半导体衬底分割成多个半导体芯片。

7、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下的工序：

准备具有形成有焊盘电极的第一主面的半导体衬底，从第二主面蚀刻所述半导体衬底而形成通孔；

在所述第二主面整个面上形成绝缘膜之后，蚀刻该绝缘膜而将所述通孔底部的绝缘膜除去；

形成通过所述通孔与所述焊盘电极电连接并且自所述通孔开始在所述第二主面上延伸的配线层；

将所述半导体衬底分割成多个半导体芯片。

8、如权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述配线层的工序利用镀敷法或喷溅法进行。

9、如权利要求6～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述配线层不完全地埋入到所述通孔内。

10、如权利要求5～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在形成所述配线层之后、在所述配线层上形成导电端子的工序。