[发明专利]多羟基硅氧烷光电导体有效
申请号: | 200810074225.6 | 申请日: | 2008-02-13 |
公开(公告)号: | CN101246319A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | K·-T·丁;J·F·亚努斯;R·K·克兰达尔;E·J·小雷迪根 | 申请(专利权)人: | 施乐公司 |
主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;韦欣华 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 羟基 硅氧烷 光电 导体 | ||
1.一种成像元件,包括支撑基材、光产生层、和至少一层包含至 少一种电荷输送组分的电荷输送层、和与所述电荷输送层接触并相邻 的外涂层,并且该外涂层包含丙烯酸化多元醇、聚亚烷基二醇、交联 剂、羟基官能化硅氧烷聚合物和电荷输送组分,并且其中所述羟基官 能化硅氧烷聚合物由以下至少一个表示:
HO-Rz-[SiR1R2-O-]n-[Rz-OH]b
其中Rz表示
[-[CH2]w-O-]p,
w为2到10,p为1到150;和其中R1和R2独立地表示具有2 到20个碳的烷基;n为5到200;和b为0到1;
HO-Rx-[SiR1R2-O-]n-[Rx-OH]b
其中Rx表示
(-C-Ra-C)m-(-CO2-Rb-CO2-)o-(-C-Rc-C)p-(-CO2-Rd-CO2-)q
其中Ra和Rc独立地表示衍生自多元醇的烷基或支化烷基;Rb和 Rd独立地表示衍生自多元羧酸的烷基,该烷基包含1到20个碳原子; 和m、o、p和q表示0到1的摩尔分数,使得o+m+p+q=1;和其中 R1和R2独立地表示具有2到20个碳的烷基;n为5到200,和b为0 到1。
2.根据权利要求1的成像元件,其中丙烯酸化多元醇具有10到 20,000的羟基数,并且其中所述丙烯酸化多元醇、羟基官能化硅氧烷 嵌段共聚物的羟基官能化的硅氧烷、所述聚亚烷基二醇和所述电荷输 送组分在酸催化剂存在下反应,形成交联的聚合物网络。
3.根据权利要求1的成像元件,其中所述交联剂为:
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