[发明专利]电路连接材料、电路构件的连接结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电路连接材料，其是用于连接第一电路构件及第二电路构件的电路连接材料，该第一电路构件是第一电路电极与第一绝缘层在第一电路基板的主面上邻接形成的电路构件，该第二电路构件是第二电路电极与第二绝缘层在第二电路基板的主面上邻接形成的电路构件；在前述第一及第二电路构件的至少一方，前述绝缘层的至少一部分是以前述主面作为基准、厚于前述电路电极而形成；其特征在于，

含有粘接剂组合物以及导电粒子，该导电粒子平均粒径大于等于1μm小于10μm且硬度为1.961～6.865GPa；

通过固化处理，在40℃的贮存弹性模量成为0.5～3GPa，固化处理后25℃至100℃的平均热膨胀系数成为30～200ppm/℃。

2.根据权利要求1所述电路连接材料，其中，所述导电粒子具备：由有机高分子构成的核体，以及形成于该核体上的由铜、镍、镍合金、银或银合金构成的金属层；前述金属层的厚度为50～170nm。

3.根据权利要求1或2所述电路连接材料，其中，所述导电粒子具备由金或钯构成的最外层，前述最外层的厚度为15～70nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述电路连接材料，其中，所述粘接剂组合物包含环氧树脂、和前述环氧树脂的潜在性固化剂。

5.根据权利要求1～3任一项所述电路连接材料，其中，所述粘接剂组合物包含自由基聚合性物质，和通过加热而产生游离自由基的固化剂。

6.根据权利要求1～5任一项所述电路连接材料，其中，通过固化处理，玻璃转化温度成为60～200℃。

7.根据权利要求1～6任一项所述电路连接材料，其中，进一步含有薄膜形成材料。

8.根据权利要求7所述电路连接材料，其中，所述薄膜形成材料是苯氧树脂。

9.一种薄膜状电路连接材料，其特征在于，是将权利要求1～8任一项所述电路连接材料形成为薄膜状而成。

10.一种电路构件的连接结构，其具备：

第一电路构件，其是第一电路电极与第一绝缘层在第一电路基板的主面上邻接形成；

第二电路构件，其是第二电路电极与第二绝缘层在第二电路基板的主面上邻接形成；以及

电路连接构件，其设置于前述第一电路构件的主面与前述第二电路构件的主面之间、连接前述第一及第二电路构件彼此；

在前述第一及第二电路构件的至少一方，前述绝缘层的至少一部分是以前述电路基板的主面为基准、厚于前述电路电极而形成；其特征在于，

前述电路连接构件包含绝缘性物质、以及导电粒子，该导电粒子的平均粒径大于等于1μm小于10μm且硬度为1.961～6.865GPa；

前述电路连接构件在40℃的贮存弹性模量为0.5～3GPa且25℃至100℃的平均热膨胀系数为30～200ppm/℃；

前述第一电路电极与前述第二电路电极经由前述导电粒子而电性连接。

11.根据权利要求10所述电路构件的连接结构，其中，所述导电粒子具备：由有机高分子构成的核体，以及形成于该核体上的由铜、镍、镍合金、银或银合金构成的金属层；前述金属层的厚度为50～170nm。

12.根据权利要求10或11所述电路构件的连接结构，其中，所述导电粒子具备由金或钯构成的最外层，前述最外层的厚度为15～70nm。

13.根据权利要求10～12任一项所述电路构件的连接结构，其中，在所述绝缘层的至少一部分是以所述电路基板的主面作为基准、厚于所述电路电极而形成的电路构件中，所述绝缘层的至少一部分的厚度与所述电路电极的厚度之差为50～600nm。

14.根据权利要求10～13任一项所述电路构件的连接结构，其中，所述电路连接构件的玻璃转化温度为60～200℃。

15.根据权利要求10～14任一项所述电路构件的连接结构，其中，所述绝缘层是由有机绝缘性物质、二氧化硅及氮化硅中的任意一种所构成。