[发明专利]晶片级封装物及制作晶片级封装物的掩模无效
申请号: | 200810080436.0 | 申请日: | 2008-02-19 |
公开(公告)号: | CN101414613A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 翁福田;廖永顺;罗益全;张笔政 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/02;G03F1/14 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 制作 | ||
1.一种晶片级封装物,包括:
一半导体晶片,具有多个半导体芯片形成于其上,所述半导体芯片仅具有完整多边形的外形;
一无电路区,形成于该半导体晶片上,以隔离所述半导体芯片;
一支撑结构,大体形成于该无电路区之上,其中形成并环绕该半导体晶片的一边缘的该支撑结构的一部分内具有多个导通孔;以及
一透光衬底,形成于该半导体晶片之上,定义出介于所述半导体芯片与该透光衬底之间的多个空室,其中该透光衬底由该支撑结构所支撑。
2.如权利要求1所述的晶片级封装物,还包括一粘着层,形成于该支撑结构与该透光衬底之间或形成于该支撑结构与该半导体衬底之间。
3.如权利要求2所述的晶片级封装物,其中所述导通孔按照一阵列形式设置,且至少所述导通孔之一的顶部或底部内填入有该粘着层。
4.如权利要求1所述的晶片级封装物,其中该支撑结构包括负型光致抗蚀剂材料。
5.如权利要求1所述的晶片级封装物,其中所述半导体芯片之内形成有影像感测装置。
6.一种晶片级封装物,包括:
一半导体晶片,具有多个半导体芯片形成于其上,所述半导体芯片仅具有完整多边形的外形;
一无电路区,定义为形成于该半导体晶片上,以隔离所述半导体芯片;
一支撑结构,大体形成于该无电路区之上;
一透光衬底,形成于该半导体晶片之上,定义出介于所述半导体芯片与该透明衬底之间的多个空室,其中该透明衬底由该支撑结构所支撑;以及
多个透光图案,形成于环绕该半导体晶片的一边缘的该支撑结构的一部分中。
7.如权利要求6所述的晶片级封装物,还包括一粘着层,形成于该支撑结构与该透光衬底之间或形成于该支撑结构与该半导体衬底之间。
8.如权利要求7所述的晶片级封装物,其中邻近至少所述透光图案之一的该无电路区的顶部或顶部填入有该粘着层。
9.如权利要求6所述的晶片级封装物,其中该支撑结构包括负型光致抗蚀剂材料。
10.如权利要求6所述的晶片级封装物,其中所述半导体芯片内形成有影像感测装置。
11.一种制作晶片级封装物的掩模,适用于定义一支撑结构于一衬底之上,包括:
一透光衬底;以及
多个第一不透光图案,形成于该透光衬底上,其中所述第一透光图案按照阵列形式排列且相互分隔,进而定义出多个元件图案。
12.如权利要求11所述的制作晶片级封装物的掩模,还包括多个第二不透光图案形成于该透光衬底上并环绕所述第一透光图案的阵列,以定义一假图案,其中所述第二不透光图案的外形不同于所述第一不透光图案的外形。
13.如权利要求11所述的制作晶片级封装物的掩模,其中该透光衬底包括玻璃,而所述第一与第二不透光图案包括铬。
14.如权利要求11所述的制作晶片级封装物的掩模,其中该掩模为1X掩模。
15.如权利要求11所述的制作晶片级封装物的掩模,还包括多个第二不透光图案形成于该透明衬底上并环绕所述第一透光图案的阵列,以定义一假图案,其中所述第二不透光图案的外形相同于所述第一不透光图案的外形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的