[发明专利]基板载置台以及基板处理装置有效
申请号: | 200810080550.3 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101261952A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 南雅人;佐佐木芳彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23F4/00;C23C16/458;C23C14/50;C30B25/12;H01J37/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 以及 处理 装置 | ||
1.一种基板载置台,用于载置由基板处理装置进行处理的基板,该基板载置台的特征在于,包括:
基材;
在所述基材上形成的、用于载置所述基板的介电性材料层;以及
在所述介电性材料层上形成的多个凸部,其中,
所述各凸部的至少与所述基板接触的接触部分由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
2.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于:
所述各凸部的上部由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
3.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于:
所述各凸部的全部由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
4.如权利要求1所述的基板载置台,其特征在于:
所述介电性材料层在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间形成有用于将所述基板静电吸附在所述介电性材料层上的导电层。
5.一种基板载置台,其用于载置由基板处理装置进行处理的基板,该基板载置台的特征在于,包括:
基材;
介电性材料层,其形成在所述基材上,并且在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间具有用于将所述基板静电吸附在所述上部介电性材料层上的导电层;
在所述上部介电性材料层上形成的多个凸部;以及
在所述上部介电性材料层的周边以包围由所述凸部所形成的区域周围的方式形成的台部,其中,
所述各凸部和所述台部的至少与所述基板接触的接触部分由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
6.一种基板载置台,其用于载置由基板处理装置进行处理的基板,该基板载置台的特征在于,包括:
基材;
介电性材料层,其形成在所述基材上,并且在下部介电性材料层和上部介电性材料层之间具有用于将所述基板静电吸附在所述上部介电性材料层上的导电层;
在所述上部介电性材料层上形成的多个凸部;
在所述上部介电性材料层的周边以包围由所述凸部所形成的区域周围的方式形成的台部;
用于向所述下部介电性材料层与被静电吸附在所述上部介电性材料层上的所述基板背面之间供给气体的气体流路;以及
形成在所述介电性材料层上,用于将来自所述气体流路的气体向所述基板的背面引导的多个气体孔,其中,
所述各凸部的至少与所述基板接触的接触部分由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
7.如权利要求6所述的基板载置台,其特征在于:
构成所述台部的基板接触部分的材料与构成所述各凸部的基板接触部分的材料不同。
8.如权利要求7所述的基板载置台,其特征在于:
构成所述台部的基板接触部分的材料的硬度比构成所述各凸部的材料的硬度高。
9.如权利要求8所述的基板载置台,其特征在于:
所述各凸部被配置成格子状,
所述气体孔被配置成在所述各凸部的周围分别配置有所述多个气体孔。
10.如权利要求1~9中任一项所述的基板载置台,其特征在于:
所述基板为平板显示器制造用的玻璃基板,
硬度比所述基板的硬度低的材料为铝或者树脂。
11.一种基板处理装置,具有对基板实施规定处理的处理室的,其特征在于,包括:
设置在所述处理室内,用于载置所述基板的基板载置台;
向所述处理室内供给处理气体的气体供给单元;以及
用于对所述处理室内进行排气的排气单元,其中,
所述基板载置台包括:基材;在所述基材上形成的、用于载置所述基板的介电性材料层;以及在所述介电性材料层上形成的多个凸部,所述各凸部的至少与所述基板接触的接触部分由硬度比所述基板的硬度低的材料构成。
12.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于:
所述基板为平板显示器制造用的玻璃基板,
硬度比所述基板的硬度低的材料为铝或者树脂。
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