[发明专利]基板载置台以及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于载置平板面板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板的基板载置台以及使用该基板载置台并对基板进行干式蚀刻等处理的基板处理装置。

背景技术

例如，在FPD的制造工艺中，一般对作为被处理基板的玻璃基板实施干式蚀刻、喷镀、CVD(化学气相沉积)等的等离子体处理。在该等离子体处理中，例如通过在处理室(腔室)内具有一对平行平板电极(上部电极以及下部电极)的基板处理装置来进行。

具体而言，在处理室内，例如将被处理基板载置在兼做基板载置台并作为下部电极工作的基座上，向处理室内导入处理气体并且对上述电极中的至少一方施加高频电力，从而在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体，由此对上述被处理基板进行等离子体处理。

这种载置台包括：例如由铝构成的基材、以及形成在该基材上的作为介电性材料层的例如由Al₂O₃喷镀膜构成的绝缘层。在该绝缘层中内置有电极板，构成为能够通过对该电极板施加高电压而在载置台上产生的库伦力，来对被处理基板进行吸附保持。此外，为了提高这种绝缘层的耐腐蚀性，利用树脂覆盖上述绝缘层的整个表面(例如参照专利文献1、2)。

然而，因为实际上在载置台的表面上具有缓曲面，所以，如果以面接触方式将被处理基板载置于载置台上，则会产生间隙，因等离子体处理而很容易堆积附着物。因此，具有因附着物与被处理基板接触产生蚀刻偏差，以及因附着物导致被处理基板粘附在载置台上的不良情况。为了防止发生这种不良情况，在现有技术中，公知有在载置台的表面形成有多个凸部，并能够以点接触方式载置被处理基板的技术(例如参照专利文献3)。

专利文献1：日本特开平9-298190号公报

专利文献2：日本特开2003-7812号公报

专利文献3：日本特开2002-313898号公报

然而，若在载置台的表面形成有多个凸部，则当在载置台的表面吸附保持有被处理基板时，有时被处理基板的背面因与凸部接触而被划伤。例如，当通过Al₂O₃喷镀膜形成载置台的表面的凸部，并在这样的载置台上载置FPD用玻璃基板时，构成凸部的Al₂O₃的硬度(维氏硬度(vickers hardness))为Hv1000左右，非常硬，比普通玻璃基板的硬度(Hv600左右)高。若这样将玻璃基板静电吸附在载置台上，则玻璃基板的背面与载置台的凸部接触而被划伤的可能性高。

此外，载置台表面的凸部有时由陶瓷构成(例如专利文献3)，因为该陶瓷一般具有上述Al₂O₃以上的硬度，因此，对于由陶瓷构成的凸部而言，划伤玻璃基板背面的可能性高。

发明内容

因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种当载置有基板时，能够防止基板背面被划伤的基板载置台以及基板处理装置。

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面提供一种基板载置台，其用于载置由基板处理装置进行处理的基板，该基板载置台的特征在于，包括：基材；在上述基材上形成的、用于载置上述基板的介电性材料层；以及在上述介电性材料层上形成的多个凸部，其中，上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。

为了解决上述问题，根据本发明的另一方面提供一种具有对基板实施规定处理的处理室的基板处理装置，其特征在于，包括：设置在上述处理室内，用于载置上述基板的基板载置台；向上述处理室供给处理气体的气体供给单元；以及用于对上述处理室内进行排气的排气单元，其中，上述基板载置台包括：基材；在上述基材上形成的、用于载置上述基板的介电性材料层；以及在上述介电性材料层上形成的多个凸部，上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。

根据本发明，因为上述各凸部至少与上述基板接触的接触部分由硬度比上述基板的硬度低的材料构成，所以，能够在介电性材料层上载置基板时防止基板的背面被刮伤。

此外，上述各凸部的上部可以由硬度比上述基板的硬度低的材料构成，也可以是上述各凸部的全部由硬度比上述基板的硬度低的材料构成。无论何种情况，与基板接触的接触部分能够由硬度比基板的硬度低的材料构成。