[发明专利]在高压晶体管结构的端处的栅极回拉

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第 一横向延伸的线性部分和在跑道形布局的线性部分的每一端处的圆 形部分，第一导电类型的源极区被设置在所述柱的顶表面处或附近， 并且第二导电类型的本体区被设置在源极区下面的柱中；

分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域，第一介电区域被 柱横向包围，并且第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

分别设置在邻近本体区的柱的顶表面处或附近的第一和第二介 电区域中的第一和第二栅极元件，所述第一和第二栅极元件通过栅极 氧化物与本体区分开，所述栅极氧化物在跑道形布局的线性部分中具 有第一厚度，栅极氧化物在圆形部分处具有第二厚度，第二厚度大于 第一厚度。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中第一厚度大约是

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中第二厚度大约是1μm。

4.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括设置在本体区下 面的柱中的延伸漏极区。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述线性部分沿第一横 向的长度比跑道形布局的宽度大至少30倍，所述宽度在垂直于第一 横向的第二横向上。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中第一和第二栅极元件与 第一和第二场板完全绝缘。

7.一种晶体管，包括：

设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第 一横向延伸的线性部分和在跑道形布局的线性部分的每一端处的圆 形部分；

分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域，第一介电区域被 柱横向包围，并且第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

分别设置在柱的顶部处或附近的第一和第二介电区域中的第一 和第二栅极元件，所述第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与本体区 分开，所述栅极氧化物在跑道形布局的线性部分中具有第一厚度，栅 极氧化物在圆形部分处具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其中第一厚度大约是

9.根据权利要求7所述的晶体管，其中第二厚度大约是1μm。

10.根据权利要求7所述的晶体管，进一步包括：

源极区，所述本体区被设置在源极区下面的柱中；以及

设置在本体区下面的柱中的延伸漏极区。

11.根据权利要求7所述的晶体管，其中所述线性部分沿第一横 向的长度比跑道形布局的宽度大至少30倍，所述宽度在垂直于第一 横向的第二横向上。

12.一种晶体管，包括：

具有均沿第一横向延伸的间隔开的第一和第二线性部分的半导 体材料的跑道形柱，所述跑道形柱的第一圆形部分接合第一和第二线 性部分的相应的第一端，所述跑道形柱的第二圆形部分接合第一和第 二线性部分的相应的第二端；

分别设置在跑道形柱的相对侧的第一和第二介电区域，第一介电 区域被柱横向包围，并且第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

分别设置在跑道形柱的第一线性部分的顶部处或附近的第一和 第二介电区域中的第一和第二栅极元件；

分别设置在跑道形柱的第二线性部分的顶部处或附近的第一和 第二介电区域中的第三和第四栅极元件；并且

其中第一、第二、第三和第四栅极元件均借助栅极氧化物与跑道 形柱分开，第一、第二、第三和第四栅极元件的相对端沿第一横向分 别终止于第一和第二圆形部分处或附近。

13.根据权利要求12所述的晶体管，其中第一、第二、第三和 第四栅极元件均包括多晶硅。

14.根据权利要求12所述的晶体管，其中栅极氧化物大约是厚。