[发明专利]结构以及集成电路制造方法

权利要求书

1.一种结构制造方法，包括以下步骤：

提供一种结构，所述结构包括：

(a)记忆层，以及

(b)侧壁图像转移(SIT)层，在所述记忆层的顶上；

构图所述SIT层，产生SIT区域，其中所述构图包括光刻方法；

使用SIT区域作为掩模定向蚀刻所述记忆层，产生第一记忆区域；以及

沿参考方向以缩进距离D缩进所述SIT区域的侧壁，产生包括所述侧壁的SIT部分，

其中所述缩进距离D小于与所述光刻方法有关的临界尺寸CD，

其中所述第一记忆区域包括沿所述参考方向的第一尺寸W2和第二尺寸W3，以及

其中CD＜W2＜2D＜W3。

2.根据权利要求1的方法，还包括，在进行所述缩进之后，将所述SIT部分的所述侧壁的图像转移到所述第一记忆区域，产生第二记忆区域。

3.根据权利要求2的方法，其中所述转移包括：

在所述第一记忆区域和所述SIT部分的顶上形成保护层；然后

回蚀刻所述保护层，将所述SIT部分的顶表面暴露到周围环境，其中所述回蚀刻对于SIT部分具有选择性；然后

去除所述SIT部分，使所述去除对于所述蚀刻的保护层和所述第一记忆区域具有选择性；然后

使用所述蚀刻的保护层作为阻挡掩模定向蚀刻所述第一记忆区域，产生所述第二记忆区域；以及然后

去除所述蚀刻的保护层。

4.根据权利要求3的方法，其中定向蚀刻所述第一记忆区域包括所述第一记忆区域的反应离子蚀刻(RIE)。

5.根据权利要求3的方法，其中所述保护层包括聚合物。

6.根据权利要求2的方法，其中所述第二记忆区域包括封闭的环路。

7.根据权利要求6的方法，还包括构图所述第二记忆区域，使所述封闭的环路开放。

8.根据权利要求1的方法，

其中所述SIT区域还包括沿参考方向的第三尺寸W1，并且

其中CD＜W1＜W2。

9.根据权利要求1的方法，其中所述缩进包括对所述SIT区域进行的化学氧化物去除(COR)方法。

10.根据权利要求1的方法，其中所述记忆层包括氮化硅。

11.根据权利要求1的方法，其中所述SIT层包括介质材料。

12.一种集成电路单元制造方法，包括以下步骤：

提供一种结构，所述结构包括：

(a)将构图的层，以及

(b)芯轴层，在所述将构图的层的顶上；

构图所述芯轴层，产生第一芯轴区域和第二芯轴区域，

其中构图所述芯轴层包括光刻方法，

其中所述第一芯轴区域的第一侧壁和所述第二芯轴区域的第二侧壁基本上彼此平行，

其中所述第一侧壁限定了与所述第一侧壁垂直的参考方向，以及

其中在所述第一侧壁与第二侧壁之间沿所述参考方向的芯轴距离W5大于与所述光刻方法有关的临界尺寸CD；以及

在所述第一芯轴区域的所述第一侧壁上形成第一间隔物区域和在所述第二芯轴区域的所述第二侧壁上形成第二间隔物区域，

其中所述第一和第二间隔物区域跨过距离为所述芯轴距离W5的距离彼此直接物理接触，以及

其中沿所述参考方向的所述第一和第二间隔物区域的宽度D5小于所述CD并满足公式2×D5＞W5。

13.根据权利要求12的方法，其中形成所述第一和第二间隔物区域包括：

在所述第一和第二芯轴区域和所述将构图的层的顶上形成间隔物层；以及然后

直接回蚀刻所述间隔物层，产生所述第一和第二间隔物区域。

14.根据权利要求12的方法，还包括将所述第一和第二间隔物区域的图像转移到所述将构图的层，产生构图的区域，其中所述构图的区域是进行了所述转移之后所述将构图的层的剩余部分。