[发明专利]用于一半导体集成电路的导电结构

权利要求书

1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫 及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出一开口区域，该导电结构适可通过该开口 区域，与该衬垫呈电性连接，该导电结构包含：

一下金属层，至少局部形成于该开口区域内；

一第一导体层，具有一第一竖直方向尺寸，形成于该下金属层上，与该下金 属层呈电性连结，该第一导体层的材料是一金属，其导电率较金为高；

一第二导体层，其材料为金，具有一第二竖直方向尺寸，形成于该第一导体 层上，与该第一导体层呈电性连接，且其中该第一竖直方向尺寸不小于该第二竖直 方向尺寸；以及

一覆盖导体层，以化学镀的方式形成；

其中该下金属层、第一导体层及第二导体层共同界定一基本凸块结构，该覆 盖导体层具有1微米的一平均厚度，且完全覆盖基本凸块结构。

2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该第一导体层的材料为铜。

3.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该覆盖导体层的材料为金。

4.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该下金属层包含一第一金属层 及一第二金属层，该第一金属层形成于该衬垫之上，该第二金属层形成于该第一金 属层上，该第一金属层的材料与该第二金属层的材料不同。

5.如权利要求4所述的导电结构，其特征在于，该第一金属层的材料选自钛、 钨与其合金的族群中，该第二金属层的材料与该第一导体层的材料相同。

6.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，更包含一缓冲导体层，形成该 第一导体层与该第二导体层之间，与该第一导体层及该第二导体层呈电性连结，该 缓冲导体层具有一第三竖直方向尺寸，该第一竖直方向尺寸不小于该第三竖直方向 尺寸。

7.如权利要求6所述的导电结构，其特征在于，该缓冲导体层的材料为镍。