[发明专利]微机电系统封装构造及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种微机电系统封装构造及其制造方法，更特别有关于一种晶片级微机电系统封装构造及其制造方法。

背景技术

参考图1，习知的微机电系统封装构造100包含一基板110，基板110上设有微机电系统(microelectromechanical system；MEMS)组件120，并以一盖体130盖住MEMS组件120，盖体130的周缘则藉由一导电胶、焊锡或其类似物140与基板110电性连接。上述盖体130包含一外壳体132a，其是由一层导电材料所形成，例如铜、不锈钢、铝或其合金等形成。盖体130还包含一内壳体132b，其亦由一层导电材料所形成。于内壳体132b的内侧，包含有一导电材料所形成的内衬150，做为屏蔽MEMS组件120以免受电磁干扰之用。

上述封装构造100虽具有抗电磁干扰的优点，惟，其无法整批制造大量的封装构造100；又，封装构造100的厚度并无法有效的降低，其应用因此受到限制。

有鉴于此，便有须提出一种微机电系统封装构造的制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微机电系统封装构造的制造方法，是利用晶片形成盖体，能够达到降低封装构造厚度的目的。

为达上述目的，本发明的微机电系统封装构造的制造方法是提供一界定有数个彼此相邻单元的第一晶片，并于各单元内第一晶片的下表面形成一下凹部；第一晶片的上表面则形成有数个横跨两相邻单元的上凹部，并于其上表面及上凹部形成一金属层。将第一晶片的下表面与一微机电系统晶片接合，并使第一晶片的下凹部容纳微机电系统晶片上芯片主动面的主动区域。接着由第一晶片的上凹部将两晶片的组合体分割，从而得到各个受有下凹部保护的微机电系统芯片。

上述经分割后所得到的微机电系统芯片可设于一载具上，并藉由焊线与其电性连接。芯片盖体上的金属层则可藉由焊线与载具上的接地线路电性连接，达到电磁屏蔽的目的。载具上并可设置其它主动组件或被动组件，以使所形成的微机电系统封装构造的功能更为强大。最后再以封胶体包覆所述组件，以使本发明的微机电系统封装构造得到更好的保护。

由于本发明的微机电系统封装构造的制造方法是以晶片形成盖体，来保护其中的微机电系统芯片，而因此不须要其它盖体的保护，可使所形成的封装构造的厚度相对应的降低；此外，盖体上的金属层可形成电磁屏蔽，使微机电系统封装构造的效能提升。

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文特举本发明实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1：为习知微机电系统封装构造的剖面图。

图2a至2d：为本发明的微机电系统芯片的制造方法，其中图2b为图2a中沿着线2b-2b的剖面图。

图3：为本发明的微机电系统封装构造的剖面图。

具体实施方式

参考图2a与2b，本发明的微机电系统芯片的制造方法是提供一盖体200，例如一硅晶片，其界定有数个彼此相邻的单元210。于各单元210内晶片的下表面220蚀刻出一楔形的凹部222；于晶片的上表面230蚀刻出数个各横跨两相邻单元210的楔形凹部232，各楔形凹部232内的底部并形成有贯通至晶片下表面220的开口240。于晶片的上表面230及凹部232的表面以溅镀或电镀的方式形成一层或多层的金属层250，例如形成一铜层或一金层，或者是铜/金层。

参考图2c，将上述晶片200的下表面220与一包含有数个微机电系统(MEMS)芯片310的晶片300接合，使凹部222容纳芯片主动面312的主动区域314。接着由晶片凹部232将晶片200的各个单元210分割，以得到数个本发明有盖体320保护的微机电系统芯片310(见图2d)。

参考图3，本发明的微机电系统封装构造400是将具有盖体320保护的微机电系统芯片310与其它电路结合。举例而言，芯片310可设于一芯片载具410上，例如一基板或导线架上，并藉由穿过盖体320的开口240而与芯片主动面312电性连接的焊线420与载具410电性连接；载具上并可设置其它主动组件430或被动组件440，以使所形成的封装构造400的功能更为强大。另外，盖体320上的金属层250可藉由焊线450与载具410上的接地线路电性连接(图未示)，可达到电磁屏蔽的目的。最后，为使封装构造400得到更好的保护，可于载具410上形成一包覆芯片310、组件430、440以及焊线420、450的封胶体460。