[发明专利]堆栈式芯片封装结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种芯片封装结构及其封装方法，且特别是有关于一种适用于射频芯片(RF chip)的堆栈式芯片封装结构及其封装方法。

背景技术

由于电子产业的蓬勃发展，大部分的电子产品均不断朝小型化、轻量化和高速化的目标迈进，其中更有不少电子产品必须使用射频芯片，例如将射频芯片与数字IC、射频芯片与数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)、或射频芯片与基频芯片(Base Band，BB)等整合在一起，藉以达到小型化或高速化的目标，惟由于射频芯片系属高频，因此必须进行电磁屏蔽(shielding)处理，以避免信号的干扰。

图1为习知一种堆栈式芯片封装结构的剖面示意图。请参照图1，堆栈式芯片封装结构100包括一载板110、一第一芯片120、一第二芯片130以及一金属片140。载板110具有一上表面112以及一下表面114。第一芯片120配置于上表面112，并与载板110电性连接。第二芯片130为一射频芯片，其配置于第一芯片上方，并与载板110电性连接。金属片140配置于第一芯片120及第二芯片130之间，并连接至一接地端150，用以隔绝及防止第一芯片120的信号对于射频芯片的干扰。然而，设置于第一芯片120与第二芯片130之间的金属片140会使整个堆栈式芯片封装结构100的厚度增加，而无法达到电子产品所需的小型化、轻量化的要求。

发明内容

本发明提供一种堆栈式芯片封装结构及其制作方法，此封装结构是利用芯片堆栈的技术将一芯片(如一基频芯片)与一射频芯片堆栈在一起，并利用一由导电的环氧树脂所形成的隔绝层阻绝此芯片的信号对于射频芯片的干扰，且不会增加整个堆栈式芯片封装结构的厚度。

为解决上述问题，本发明提出一种堆栈式芯片封装结构，包括一载板、一第一芯片、一第二芯片、一阻隔层以及一金属件。载板具有相对应的一上表面以及一下表面。第一芯片配置于载板的上表面上，且与载板电性连接。第二芯片配置于第一芯片上方，且与载板电性连接。阻隔层配置于第一芯片与第二芯片之间，其中阻隔层由一导电材料所组成。金属件连接于阻隔层的外周围，其中金属件与一接地端电性连接，使阻隔层通过金属件而接地。

在本发明的一实施例中，上述载板包括多数个配置于下表面上的焊球。

在本发明的一实施例中，上述第一芯片包括一数字集成电路、一数字信号处理器或是一基频芯片。

在本发明的一实施例中，上述第一芯片通过覆晶接合方式或是打线接合方式与载板电性连接。

在本发明的一实施例中，上述第二芯片包括一射频芯片。

在本发明的一实施例中，上述第二芯片通过打线接合方式与载板电性连接。

在本发明的一实施例中，上述阻隔层由导电的环氧树脂所组成。

在本发明的一实施例中，上述接地端位于载板上。

在本发明的一实施例中，上述金属件通过一打线导线与接地端电性连接。

在本发明的一实施例中，上述堆栈式芯片封装结构更包括一封装胶体，其中封装胶体是配置于载板上，且覆盖第一芯片、第二芯片、阻隔层以及金属件。

本发明另提出一种堆栈式芯片封装结构的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一线路基板，其具有相对应的一上表面以及一下表面。接下来，设置一第一芯片于线路基板的上表面上。然后，电性连接第一芯片与线路基板。接着，设置一金属件于第一芯片上，其中金属件具有一开口。再来，配置一导电材料于金属件的开口中，并覆盖于第一芯片上，其中导电材料系与金属件电性导接。之后，配置一第二芯片于金属件与导电材料上方；最后，电性连接第二芯片与线路基板。

在本发明的一实施例中，在上述配置第一芯片的步骤前，更包含提供一黏着材料于线路基板的上表面。

在本发明的一实施例中，在上述配置第一芯片的步骤后，更包含加热黏着材料，以固着第一芯片于线路基板上。

在本发明的一实施例中，在上述配置第二芯片的步骤后，更包含加热黏着材料与导电材料，以同时固着第一芯片与第二芯片。

本发明的堆栈式芯片封装结构是利用芯片堆栈的技术将射频芯片与其它芯片(如基频芯片)堆栈在一起，并利用一层由导电的环氧树脂形成的阻隔层，以有效地阻隔位于射频芯片下方的芯片的信号对于射频芯片的干扰，且不会增加整个堆栈式芯片封装结构的厚度。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1为习知一种堆栈式芯片封装结构的剖面示意图。

图2为本发明一实施例的堆栈式芯片封装结构的剖面图。