[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

半导体衬底，在上表面具有多个连接焊盘；

绝缘膜，设置在上述半导体衬底上，具有在与上述多个连接焊盘对应的部分形成的多个开口部；

再布线上层绝缘膜，设置在上述绝缘膜的上表面，具有被形成为与上述多个开口部之中的某一个连通的多个上表面侧开口部；及

多条再布线，在上述多个上表面侧开口部内经由上述绝缘膜的开口部被连接到上述连接焊盘，并被设置成上表面的高度等于或低于上述再布线上层绝缘膜的上表面的高度；及

柱状电极，分别与上述各再布线上的上表面侧连接焊盘部连接地设置。

2.如权利要求1所记载的半导体器件，其中，

在上述再布线上层绝缘膜的开口部内设置的上述再布线，包括在上述再布线上层绝缘膜的开口部的底面及侧面形成的基底金属层、及在上述基底金属层上形成的上部金属层。

3.一种半导体器件，其特征在于包括：

半导体衬底，在上表面具有多个连接焊盘；

绝缘膜，设置在上述半导体衬底上，具有在与上述多个连接焊盘对应的部分形成的多个开口部；

下表面侧上层绝缘膜，设置在上述绝缘膜的上表面，具有被形成为与上述多个开口部之中的某一个连通的多个下表面侧开口部；

多条下表面侧布线，在上述多个下表面侧开口部内经由上述绝缘膜的开口部与上述连接焊盘连接地设置；

再布线上层绝缘膜，设置在上述下表面侧上层绝缘膜的上表面及上述多条下表面侧布线的上表面，具有被形成为与上述多个下表面侧开口部之中的某一个连通的多个上表面侧开口部；

多条再布线，在上述多个上表面侧开口部内被连接到上述下表面侧布线，并被设置成上表面的高度等于或低于上述再布线上层绝缘膜的上表面的高度；及

柱状电极，分别与上述各再布线上的上表面侧连接焊盘部连接地设置。

4.如权利要求3所记载的半导体器件，其中，

在上述再布线上层绝缘膜的开口部内设置的上述再布线，包括在上述再布线上层绝缘膜的开口部的底面及侧面形成的基底金属层、及在上述基底金属层上形成的上部金属层。

5.如权利要求3所记载的半导体器件，其中，

上述多条下表面侧布线之中的一部分仅由连接到上述连接焊盘的连接部构成。

6.如权利要求3所记载的半导体器件，其中，

上述多条下表面侧布线之中的一部分仅由连接到上述连接焊盘的连接部构成；

在上述多条再布线之中的与上述多条下表面侧布线之中的一部分连接的再布线的、上表面侧连接焊盘部之下，成岛状地设置伪连接焊盘部。

7.如权利要求3所记载的半导体器件，其中，

上述多条再布线之中的一部分仅由连接到上述下表面侧布线的下表面侧连接焊盘部上的连接焊盘部构成。

8.如权利要求1所记载的半导体器件，其中，

在上述柱状电极的周围设有密封膜。

9.如权利要求3所记载的半导体器件，其中，

在上述柱状电极的周围设有密封膜。

10.如权利要求8所记载的半导体器件，其中，

在上述柱状电极上设有焊料球。

11.如权利要求9所记载的半导体器件，其中，

在上述柱状电极上设有焊料球。