[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效

申请号：	200810081928.1	申请日：	2008-02-22
公开（公告）号：	CN101252132A	公开（公告）日：	2008-08-27
发明（设计）人：	安田真	申请（专利权）人：	富士通株式会社
主分类号：	H01L27/11	分类号：	H01L27/11;H01L29/78;H01L29/08;H01L21/8244;H01L21/336
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人：	张龙哺;冯志云
地址：	日本神奈***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体存储器件及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

相关申请的交叉参考

本申请基于申请日为2007年2月22日的日本在先申请No.2007-042498，通过参考将该申请的全部内容合并于此。

技术领域

本发明一般地涉及半导体器件，更具体地，涉及包括静态随机存取存储器的半导体存储器件。

背景技术

静态随机存取存储器(以下称为SRAM)是一种高速半导体存储器件，其包括通过字线选择的转移晶体管和在一起形成触发器(flip-flop)连接的两个CMOS反相器，其中每个CMOS反相器经由相应的转移晶体管连接至相应的位线。SRAM与诸如CMOS电路等高速逻辑元件一起被广泛用在高速逻辑电路装置中。

图1是典型的SRAM 10的等效电路图。

参照图1，SRAM 10包括第一CMOS反相器I₁和第二CMOS反相器I₂，在第一CMOS反相器I₁中第一负载晶体管LT₁和第一驱动晶体管DT₁串联，在第二CMOS反相器I₂中第二负载晶体管LT₂和第二驱动晶体管DT₂串联。第一CMOS反相器I₁和第二CMOS反相器I₂在一起形成触发器电路FF，其中第一负载晶体管LT₁和第一驱动晶体管DT₁彼此连接的节点N₁经由第一转移晶体管TF₁连接至第一位线BL，而第一转移晶体管TF₁由字线WL控制。类似地，第二负载晶体管LT₂和第二驱动晶体管DT₂彼此连接的节点N₂经由第二转移晶体管TF₂连接至第一位线而第二转移晶体管TF₂由字线WL控制。