[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包含：

多条带状多晶硅；

多个漏极金属区块；

多个源极金属区块，其中各个源极金属区块位于两漏极金属区块之间，该带状多晶硅则横跨该漏极金属区块以及该源极金属区块；

第一带状源极金属层，电性连接部分该源极金属区块；

第一带状漏极金属层，电性连接部分该漏极金属区块；以及

多条第一连接线耦接于该带状多晶硅，其中该第一连接线排列成网状。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该带状多晶硅与相邻的该第一连接线排列成H形。

3.如权利要求1所述的半导体元件，还包含第二连接线电性连接该第一连接线，其中该第二连接线接收栅极电压。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包含至少一第三连接线耦接该第一连接线以及该第二连接线，该第三连接线将该栅极电压由该第二连接线传递至该第一连接线。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：

第二带状漏极金属层，电性连接部分该漏极金属区块，以接收漏极电压；以及

第三带状漏极金属层，电性连接该第一带状漏极金属层以及该第二带状漏极金属层，该第三带状漏极金属层将该漏极电压传递至该第一带状漏极金属层。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二带状漏极金属层的宽度大于65μm。

7.如权利要求5所述的半导体元件，还包含多条第一金属线，以引线方式连接该第一带状漏极金属层以及该第二带状漏极金属层，该第一金属线将该漏极电压由该第二带状漏极金属层传递至该第一带状漏极金属层。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一金属线的材料为金、铝、铂或锡。

9.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：

第二带状源极金属层；以及

多条第二金属线，电性连接该第二带状源极金属层以及该第一带状源极金属层。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第二金属线的材料为金、铝、铂或锡。

11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第二带状源极金属层的宽度大于65μm。

12.如权利要求1所述的半导体元件，还包含多个接触窗位于该漏极金属区块上，其中该带状多晶硅设置于该接处窗之间。

13.一种半导体元件的制造方法，包含：

在基板上形成多个带状多晶硅；

在该带状多晶硅上形成介电层；

形成源极金属层以及漏极金属层，其中该源极金属层以及该漏极金属层分别接触该基板上的源极以及漏极；

将多条第一金属线耦接至该漏极金属层，其中各第一金属线的两端耦接至该漏极金属层；以及

将多条第二金属线耦接至该源极金属层，其中各第二金属线的两端耦接至该源极金属层。

14.如权利要求13所述的制造方法，还包含将多条第一连接线耦接至该带状多晶硅的两端。

15.如权利要求14所述的制造方法，还包含将第二连接线耦接至该第一连接线。

16.如权利要求13所述的制造方法，还包含形成多个接触窗，其中每两该接触窗之间设置至少两该带状多晶硅。