[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别涉及一种半导体元件的集成电路布局。

背景技术

半导体元件的物理结构决定此半导体元件的效能。举例来说，半导体元件的沟道长度以及沟道宽度会影响半导体元件的电流大小。由于电路布局直接影响半导体元件的物理结构，因此进而影响半导体元件的效能。

半导体元件所产生的热能可能会损坏半导体元件。因此，如何减少热能一直是半导体电路布局的重要议题。由于热能的大小与电流密度成正比，因此在电路布局时须要减小电流密度。

在半导体元件当中，开关元件(switch)通常传导大量电流，换言之，大部分的功率消耗是由开关元件产生。因此开关元件决定了半导体元件能够承受多少功率消耗。在传统的开关元件布局当中，通常将多晶硅设置于基板上来引发电流。当多晶硅增加，电流密度会随之上升，上升的电流密度可能会损坏半导体元件。

因此需要一个新的半导体元件结构，能够分散电流来降低电流密度，防止由功率消耗转换而来的热能损坏半导体元件。

发明内容

因此本发明的一方面就是在提供一种半导体元件，能够分散电流来降低电流密度，避免半导体被功率消耗所产生的热能损坏。

依照本发明的一实施例，半导体元件包括多条带状多晶硅、多个漏极金属区块、多个源极金属区块、第一带状源极金属层、第一带状漏极金属层以及第一连接线。各个源极金属区块位于漏极金属区块之间，带状多晶硅则横跨漏极金属区块以及源极金属区块。第一带状源极金属层电性连接部分源极金属区块。第一带状漏极金属层电性连接部分漏极金属区块。第一连接线耦接于带状多晶硅，这些第一连接线排列成网状。

本发明的另一方面就是在提供一种半导体元件的制造方法，以此方法所制造出的半导体元件能够分散电流来降低电流密度，避免半导体被功率消耗所产生的热能损坏。

依照本发明的另一实施例，半导体元件的制造方法首先在基板上形成多个带状多晶硅，并在这些带状多晶硅上形成介电层。然后形成源极金属层以及漏极金属层，此源极金属层以及漏极金属层分别接触基板上的源极以及漏极。接着将多条第一金属线以及多条第二金属分别耦接至漏极金属层以及源极金属层，其中各第一金属线的两端耦接至漏极金属层，各第二金属线的两端耦接至源极金属层。

根据上述实施例，半导体元件结构能够分散电流来降低电流密度，避免半导体被功率消耗所产生的热能损坏。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的详细说明如下：

图1绘示本发明一实施例的半导体元件。

图2绘示本发明一实施例半导体元件的制造方法流程图。

附图标记说明

101：漏极金属区块          103：源极金属区块

105：带状多晶硅            107：第二带状漏极金属层

109：第一连接线            111：第二连接线

113：第一带状漏极金属层    115：第三带状漏极金属层

117：第一金属线            119：第一带状源极金属层

121：第二带状源极金属层    123：第三带状源极金属层

125：第二金属线            127：接触窗

129：第三连接线            131：接触窗

201～211：半导体元件制造步骤

具体实施方式

请参照图1，其绘示本发明一实施例的半导体元件。半导体器件，如晶体管或开关元件，主要包括多条带状多晶硅105、多个漏极金属区块101、多个源极金属区块103。各个源极金属区块103位于两漏极金属区块101之间，带状多晶硅105则横跨漏极金属区块101以及源极金属区块103。接触窗127位于漏极金属区块101以及源极金属区块103上，两接处窗127之间则设置带状多晶硅105。带状多晶硅105与接处窗127引发电流在漏极金属区块101以及源极金属区块103之间流动。