[发明专利]等离子体显示装置无效
| 申请号： | 200810081990.0 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101271651A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金基东 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/313 | 分类号： | G09F9/313;H01J17/49;G09G3/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 显示装置 | ||
1.一种等离子体显示装置，包括：
等离子体显示面板，包括
布置在基底上的至少一对第一和第二显示电极；
覆盖所述至少一对第一和第二显示电极的电介质层；以及
覆盖所述电介质层的MgO保护层；
驱动器，用于驱动所述等离子体显示面板；以及，
控制器，用于将维持期的维持脉冲宽度控制在1到3.5μs，
其中，以MgO含量为基准，按照重量，所述MgO保护层包括100到300ppm的Ca、100到250ppm的Al、10到50ppm的Fe、以及70到170ppm的Si。
2.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，以MgO含量为基准，按照重量，所述MgO保护层包括160到180ppm的Ca。
3.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，以MgO含量为基准，按照重量，所述MgO保护层包括150到220ppm的Al。
4.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，以MgO含量为基准，按照重量，所述MgO保护层包括20到30ppm的Fe。
5.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，以MgO含量为基准，按照重量，所述MgO保护层包括90到160ppm的Si。
6.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，所述维持脉冲宽度为1到3.0μs。
7.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，所述维持期为9到25μs。
8.如权利要求7所述的等离子体显示装置，其中，所述维持期的范围为10到25μs。
9.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中，所述维持期的第一维持脉冲宽度为2到7.5μs。
10.如权利要求9所述的等离子体显示装置，其中，所述维持期的第一维持脉冲宽度为2到7μs。
11.如权利要求1所述的等离子体显示装置，所述等离子体显示面板还包括放电气体，该放电气体包括以100份体积的Ne为基准的5到30份体积的Xe。
12.如权利要求11所述的等离子体显示装置，所述放电气体还包括以100份体积的Ne为基准的、大于0到70份体积的、从由He、Ar、Kr、O2、N2以及它们的组合组成的组中选择的至少一种气体。
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