[发明专利]等离子体显示装置

说明书

技术领域

本发明的方面涉及等离子体显示装置。更具体地说，本发明的各方面涉及由于减少了统计延迟时间(Ts)和统计延迟时间的温度相关性而提高了放电稳定性的等离子体显示装置。

背景技术

等离子体显示面板是一种利用放电单元中的气体放电生成的真空紫外光(vacuum ultraviolet，VUV)射线激发荧光物质(phosphors)来形成图像的显示装置。

等离子体显示面板利用从通过气体放电生成的等离子体体发出的光线显示文本和/或图形。通过将预定电平电压施加到位于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极以在两电极间引起等离子体放电，并且，利用由等离子体体放电生成的紫外线激发按照预定模式形成的荧光层，来形成图像。(下文中将位于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极称为“显示电极”。)

通常，等离子体显示面板包括覆盖两个显示电极的电介质层以及在电介质层上用于保护电介质层的保护层。保护层主要由MgO构成，MgO是透明的，因而允许可见光透过，并且，保护层对电介质层表现出卓越的保护性能。保护层还产生二次电子发射。但是，近来，已经对MgO保护层的替换和修改进行了研究。

MgO保护层具有溅阻特性(sputtering resistance characteristic)，溅阻特性减小了驱动等离子体显示装置时的放电气体放电时的离子冲击，并且保护电介质层。此外，透明保护薄膜形式的MgO保护层通过发射二次电子减小了放电电压。一般来说，MgO保护层涂在电介质层上，厚度为5000到

因此，MgO保护层的成分和隔膜特性(membrane characteristics)对放电特性有很大影响。MgO保护层的隔膜特性明显取决于淀积物的成分和涂层条件。希望研究出最佳成分以改善隔膜特性。

希望通过提高响应速度来改善高清晰度等离子体显示面板(PDP)的放电稳定性。高清晰度等离子体显示面板应该响应快速扫描速度，从而建立执行全寻址的稳定放电。对快速扫描的响应速度由形成延迟时间(formative delaytime)(Tf)和统计延迟时间(Ts)决定。

发明内容

本发明的一个实施例提供一种由于减少了统计延迟时间(Ts)以及减少了统计延迟时间的温度相关性因而提高了放电稳定性的等离子体显示装置。

按照本发明的实施例，提供了一种等离子体显示装置，包括：等离子体显示面板，包括布置在第一基底上的寻址电极、布置在第二基底上并与寻址电极交叉的一对第一和第二显示电极、覆盖第二基底上的第一和第二显示电极的电介质层、覆盖第二基底上的电介质层的MgO保护层以及填充在第一和第二基底之间的放电气体；驱动器，用于驱动等离子体显示面板；以及，控制器，用于将维持期(period)的维持脉冲宽度控制在1到3.5μs。以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括100到300ppm的Ca、100到250ppm的Al、10到50ppm的Fe、以及70到170ppm的Si。

按照非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括100到300ppm的Ca。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括160到180ppm的Ca。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括100到250ppm的Al。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括150到220ppm的Al。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括10到50ppm的Fe。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括20到30ppm的Fe。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括70到170ppm的Si。按照另一个非限制性例子，以MgO的含量为基准，按照重量，MgO保护层包括90到160ppm的Si。

按照本发明的一个方面，维持脉冲宽度为1到3.5μs。按照非限制性例子，维持脉冲宽度为1到3.0μs。

按照本发明的一个方面，维持期为9到25μs。按照非限制性例子，维持期可以为10到25μs。

按照本发明的一个方面，维持期的第一维持脉冲宽度为2到7.5μs。按照非限制性例子，维持期的第一维持脉冲宽度的范围为2到7μs。