[发明专利]双触发型可控硅整流器有效
| 申请号： | 200810082714.6 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101521224A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 洪根刚 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触发 可控 硅整流器 | ||
1.一种双触发型可控硅整流器，包括：
半导体衬底；
井区，设置在所述半导体衬底中；
第一N+扩散区域以及第一P+扩散区域，设置在所述半导体衬底内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的第一电极；
第二N+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置在所述井区内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的第二电极；
第三P+扩散区域，设置在所述双触发型可控硅整流器的第二P+扩散区域的一侧并且横跨在部分的所述井区以及所述半导体衬底之间；
第三N+扩散区域，设置在所述双触发型可控硅整流器的第一N+扩散区域的一侧并且横跨在部分的所述井区以及所述半导体衬底之间；
第一栅极，设置在所述第二P+扩散区域与所述第三P+扩散区域之间的所述井区的表面上方，用于作为所述双触发型可控硅整流器的P型触发点，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及
第二栅极，设置在所述第一N+扩散区域与所述第三N+扩散区域之间的所述半导体衬底的表面上方，用于作为所述双触发型可控硅整流器的N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。
2.根据权利要求1所述的双触发型可控硅整流器，其中，所述半导体衬底是P型半导体衬底，以及所述井区是N井，并且所述第一电极是阴极，以及所述第二电极是阳极。
3.根据权利要求2所述的双触发型可控硅整流器，还包括：
第四N+扩散区域，设置在所述P型半导体衬底内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的所述阴极；以及
第四P+扩散区域，设置在所述N井内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的所述阳极。
4.根据权利要求1所述的双触发型可控硅整流器，其应用于电气熔丝调整电路中。
5.一种双触发型可控硅整流器，包括：
半导体衬底；
井区，设置在所述半导体衬底中；
第一N+扩散区域以及第一P+扩散区域，设置在所述半导体衬底内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的第一电极；
第二N+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置在所述井区内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的第二电极；
第三P+扩散区域，设置在所述双触发型可控硅整流器的第二P+扩散区域的一侧并且横跨在部分的所述井区以及所述半导体衬底之间；
第三N+扩散区域，设置在所述双触发型可控硅整流器的第一N+扩散区域的一侧并且横跨在部分的所述井区以及
所述半导体衬底之间；
第一栅极，设置在所述第一P+扩散区域与所述第三P+扩散区域之间的所述半导体衬底的表面上方，用于作为所述双触发型可控硅整流器的P型触发点，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及
第二栅极，设置在所述第二N+扩散区域与所述第三N+扩散区域之间的所述井区的表面上方，用于作为所述双触发型可控硅整流器的N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。
6.根据权利要求5所述的双触发型可控硅整流器，其中，所述半导体衬底是N型半导体衬底，以及所述井区是P井，并且所述第一电极是阳极，以及所述第二电极是阴极。
7.根据权利要求6所述的双触发型可控硅整流器，还包括：
第四P+扩散区域，设置在所述N型半导体衬底内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的所述阳极；以及
第四N+扩散区域，设置在所述P井内，用于作为所述双触发型可控硅整流器的所述阴极。
8.根据权利要求5所述的双触发型可控硅整流器，其应用于电气熔丝调整电路中。
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