[发明专利]双触发型可控硅整流器

说明书

技术领域

本发明涉及一种双触发型可控硅整流器(dual triggered siliconcontrolled rectifier，DTSCR)，尤其是一种可以应用在电气熔丝调整电路(trim-fuse circuit)中的双触发型可控硅整流器。

背景技术

参照图1，图1所示的是传统使用大尺寸金属氧化物半导体(MOS)晶体管作为开关元件的电气熔丝调整电路100，如图1所示，电气熔丝调整电路100包括MOS晶体管开关元件110以及电气熔丝120，其中，MOS晶体管开关元件110是用于接收控制信号Sc来控制是否让调整电流通过MOS晶体管开关元件110。然而，如果电气熔丝调整电路100用在低电压工艺中，则会遭遇到无法承受高电压准位的问题，这是因为电气熔丝调整电路100通常需要高电压准位的电压来提供足够大的调整电流，但是低电压装置元件又无法承受高电压准位的缘故。

发明内容

由此，本发明的目的之一在于提供一种可以应用在电气熔丝调整电路中的双触发型可控硅整流器，以解决上述的问题。

根据本发明的范围，其披露了一种双触发型可控硅整流器，其包括：半导体衬底；井区，设置在该半导体衬底中；第一N+扩散区域以及第一P+扩散区域，设置在该半导体衬底内，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的第一电极；第二N+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置在该井区内，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的第二电极；第三P+扩散区域，设置在该双触发型横向可控硅整流器的一侧并且横跨在部分的该井区以及该半导体衬底之间；第三N+扩散区域，设置在该双触发型横向可控硅整流器的另一侧并且横跨在部分的该井区以及该半导体衬底之间；第一栅极，设置在该第二P+扩散区域与该第三P+扩散区域之间的该井区的表面上方，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的P型触发点(trigger node)，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及第二栅极，设置在该第一N+扩散区域与该第三N+扩散区域之间的该半导体衬底的表面上方，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。

根据本发明的范围，其又披露了一种双触发型可控硅整流器，其包括：半导体衬底；井区，设置在该半导体衬底中；第一N+扩散区域以及第一P+扩散区域，设置在该半导体衬底内，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的第一电极；第二N+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置在该井区内，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的第二电极；第三P+扩散区域，设置在该双触发型横向可控硅整流器的一侧并且横跨在部分的该井区以及该半导体衬底之间；第三N+扩散区域，设置在该双触发型横向可控硅整流器的另一侧并且横跨在部分的该井区以及该半导体衬底之间；第一栅极，设置在该第一P+扩散区域与该第三P+扩散区域之间的该半导体衬底的表面上方，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的P型触发点(trigger node)，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及第二栅极，设置在该第二N+扩散区域与该第三N+扩散区域之间的该井区的表面上方，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。

根据本发明的范围，其还披露了一种双触发型可控硅整流器，其包括：半导体衬底；N井(N-well)，设置在该半导体衬底中；P井(P-well)，设置在该半导体衬底中并且相邻于该N井；第一N+扩散区域以及第一P+扩散区域，设置在该P井内，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的阴极；第二N+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置在该N井内，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的阳极；第三P+扩散区域，设置在该双触发型横向可控硅整流器的一侧并且横跨在部分的该N井以及该P井之间；第三N+扩散区域，设置在该双触发型横向可控硅整流器的另一侧并且横跨在部分的该N井以及该P井之间；第一栅极，设置在该第二P+扩散区域与该第三P+扩散区域之间的该N井的表面上方，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的P型触发点，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及第二栅极，设置在该第一N+扩散区域与该第三N+扩散区域之间的该P井的表面上方，用于作为该双触发型横向可控硅整流器的N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。

附图说明

图1所示出的是传统使用大尺寸金属氧化物半导体(MOS)晶体管作为开关元件的电气熔丝调整电路。

图2所示出的是根据本发明的第一实施例的双触发型可控硅整流器的三维立体示意图。

图3所示出的是根据本发明的第二实施例的双触发型可控硅整流器的三维立体示意图。