[发明专利]去耦合电容电路有效
申请号: | 200810082746.6 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101252127A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 许人寿;王明弘 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耦合 电容 电路 | ||
1.一种去耦合电容电路,其特征在于,包含有:
多个串联的深槽电容,该多个深槽电容包含连接于一节点的一第一深槽电容与一第二深槽电容;
电压分压器,用以产生一组参考电压;以及
推挽电路,依据该组参考电压选择性地调整该节点的电压值至一预设范围内。
2.根据权利要求1所述的去耦合电容电路,其特征在于,该组参考电压包含一第一参考电压与一第二参考电压,其中该推挽电路包含:
一放电单元,依据该第一参考电压与该节点的电压值,选择性地对该节点进行放电;以及
一充电单元,依据该第二参考电压与该节点的电压值,选择性地对该节点进行充电。
3.根据权利要求2所述的去耦合电容电路,其特征在于,该放电单元包含:
一第一比较单元,接收该第一参考电压与该节点的电压值,以产生一第一比较结果信号;以及
一第一开关,根据该第一比较结果信号选择性地降低该节点的电压值。
4.根据权利要求2所述的去耦合电容电路,其特征在于,该充电单元包含:
一第二比较单元,接收该第二参考电压与该节点的电压值,以产生一第二比较结果信号;以及
一第二开关,根据该第二比较结果信号选择性地提升该节点的电压值。
5.根据权利要求1所述的去耦合电容电路,其特征在于,每一深槽电容至少包含一深槽电容胞。
6.根据权利要求1所述的去耦合电容电路,其特征在于,该去耦合电容电路的一端连接一第一电压位准,另一端连接一第二电压位准。
7.一种去耦合电容电路,其特征在于,包含有:
N个相互串联的深槽电容,其中N为大于1的正整数,且每两个深槽电容的串接处接形成共N-1个节点;
一组分压器,用以产生2(N-1)个参考电压;以及
N-1个推挽电路,该N-1个推挽电路依据该2(N-1)个参考电压选择性地调整该N-1个节点的电压值。
8.根据权利要求7所述的去耦合电容电路,其特征在于,每一深槽电容的跨压相等。
9.根据权利要求7所述的去耦合电容电路,其特征在于,该N个串联的深槽电容包含一第一深槽电容与一第二深槽电容,且该第一深槽电容与该第二深槽电容的跨压成一比例。
10.根据权利要求7所述的去耦合电容电路,其特征在于,该N-1个推挽电路包含一第一推挽电路对应一第一节点,且该2(N-1)个参考电压包含一第一参考电压与一第二参考电压,该第一推挽电路包含:
一降压电路,依据该第一参考电压与该第一节点的电压值,选择性地降低该第一节点的电压值;以及
一升压电路,依据该第二参考电压与该第一节点的电压值,选择性地提升该第一节点的电压值。
11.根据权利要求10所述的去耦合电容电路,其特征在于,该去耦合电容电路的一端连接一第一电压位准,另一端连接一第二电压位准。
12.根据权利要求11所述的去耦合电容电路,其特征在于,该组分压器包含:
一第一电阻,安置于该第一电压位准与该降压电路之间;
一第二电阻,安置于该第二电压位准与该升压电路之间;以及
一差动电阻,安置于该降压电路与该升压电路间;
藉此,该组分压器于该第一电阻的一端产生该第一参考电压,而于该第二电阻的一端产生该第二参考电压。
13.根据权利要求7所述的去耦合电容电路,其特征在于,每一该深槽电容包含多个并联的深槽电容胞。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的