[发明专利]修正光学邻近效应的方法

说明书

相关申请信息

本发明系主张自2007年5月21日所申请的韩国专利中请案号 10-2007-0049346的优先权，据此将该案的揭露整体并入参考。

技术领域

本发明关于一种制造光罩的方法，且尤其是，关于一种在制造光罩时修 正光学邻近效应的方法。

背景技术

由于以高集成度来开发半导体装置，半导体装置所需的图案的尺寸变得 较小。因这些图案的尺寸变得较小，于光蚀刻(photolithography)工艺期间 在相邻图案之间的影响造成光学邻近效应。因此，执行光学邻近修正(OPC) 以修正设计师设计的布局，并抑制由光学邻近效应所造成的图案失真。

光学邻近修正的过程起自设计待投射在晶圆上的这些标的图案的布局 及制造具有这些测试图案的测试光罩。藉由使用测试光罩实施晶圆制程，在 晶圆上形成这些图案并测量形成在晶圆上的图案的线宽。使用关于所测量的 线宽的数据来执行光学邻近修正的模型校正。使用已校正的模型，编写光学 邻近修正所需的最佳秘诀。使用已校正的模型及秘诀，执行光学邻近修正， 并验证是否适当地执行光学邻近修正。然后，决定于验证过程期间所检测的 误差是否在误差容许范围内。

若于验证过程期间所检测的误差在误差容许范围外，则藉由重新执行模 型校正及修正秘诀，在光罩的所有面积中重新执行光学邻近修正。此时，完 成光学邻近修正后，仅在特定图案或面积中，误差可在误差容许范围外。然 而，依据习知的光学邻近修正工艺，为了修正特定图案或面积，使用新模型 或新秘诀，对整个晶圆的晶片再次重新执行光学邻近修正。因这些图案变得 更细微且更复杂，故执行光学邻近修正使得耗时变大。因此，需要增进的光 学邻近修正以缩减制造光罩的时间。

发明内容

在本发明的一个实施例中，可包含修正光学邻近效应的方法：制造具有 这些测试图案的测试光罩；使用该测试光罩，在晶圆上形成这些晶圆图案； 测量形成在晶圆上的这些晶圆图案的线宽；使用该所测量的线宽来执行模型 校正并使用该模型校正来编写修正秘诀；将该晶圆整个面积分割成多数个模 板；在该多数个模板中的一个模板上执行光学邻近修正并验证于执行光学邻 近修正期间，是否适当地执行在相异模板上所完成的光学邻近修正；合并在 通过该验证的多数个模板上的数据并编写最终数据；以及使用该最终数据来 制造光罩。可将晶圆的整个面积分割成大致上具有固定尺寸的多数个模板； 可被指定多数个模板的每个用于光学邻近修正的执行。亦可将个别的多数个 模板分割成多数个多边形。可反复光学邻近修正的执行及验证，直到由该验 证所产生的误差值在误差容许范围内。

在本发明的另一个实施例中，可包含修正光学邻近效应的方法：制造具 有这些测试图案的测试光罩；使用该测试光罩，在晶圆上形成这些晶圆图案； 测量形成在晶圆上的这些晶圆图案的线宽；使用该所测量的线宽来执行模型 校正并使用该模型校正来编写修正秘诀；将该晶圆晶片的整个面积分割成多 数个模板；在该多数个模板中的一个模板上执行光学邻近修正并验证以判定 于执行光学邻近修正期间，是否适当地执行光学邻近修正；在其中作为验证 的结果而产生误差的模板上重新执行光学邻近修正，并重新验证以判定是否 适当地执行光学邻近修正；合并在通过这些验证及重新验证的多数个模板上 的数据；使用该合并数据来编写最终数据；以及使用该最终数据来制造光罩。 光学邻近修正的重新执行及重新验证可包含产生误差标帜以选取其中由于 该验证产生误差的多数个模板，并重新执行该光学邻近修正并在该误差标帜 所选取的模板上重新验证。该方法还可包含：指定任一层阶数以选取其中作 为验证的结果而产生误差的该多数个模板；遮挡于其上适当地完成光学邻近 修正的重新执行的该多数个模板，以及实施光学邻近修正的重新执行并在由 指定的层阶数所选取的模板上实施重新验证。可反复光学邻近修正的重新执 行及重新验证，直到多数个模板的验证结果在误差容许范围内。例如，透过 以多边形为基准的方法可执行第一光学邻近修正。例如，透过以格子为基准 或多重分割的方法可重新执行第二光学邻近修正。

附图说明

图1为说明依据本发明修正光学邻近效应的方法的示意流程图。

图2为一个修正光学邻近效应的方法实施例的说明图。

具体实施方式

之后，本发明将通过多数个实施例加以详细说明。这些实施例就只是用 于示例说明本发明，且本发明要保护的权利范围并未受限于他们。