[发明专利]像素电路有效
申请号: | 200810083142.3 | 申请日: | 2008-03-07 |
公开(公告)号: | CN101276546A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 邱郁文 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 | ||
1.一种像素电路,包括:
一发光二极管,具有耦合到第一电源终端的第一末端;
一驱动晶体管,各自地耦合到第二电源终端和该发光二极管的第二末端的源极和漏极;
一电容器,耦合该驱动晶体管的栅极到参考电压终端;以及
一第一开关,当启始第一扫描信号时,该第一开关耦合该发光二极管的第二末端到该电容器,并且耦合该驱动晶体管的栅极和漏极。
2.如权利要求1所述的像素电路,更进一步包含一第二开关,该第二开关由第一扫描信号控制耦合该驱动晶体管的源极到一数据线。
3.如权利要求1所述的像素电路,其中当该像素电路在预充电和编程阶段操作时,该第二电源终端使得该驱动晶体管的源极为高阻抗。
4.如权利要求1所述的像素电路,其中当该像素电路是在预充电阶段时,该参考电压终端提供一第一参考电压。
5.如权利要求1所述的像素电路,其中当该像素电路在编程阶段时,该参考电压终端提供一第二参考电压。
6.如权利要求5所述的像素电路,其中当该驱动晶体管是PMOS晶体管时,该第二参考电压不高于该第一参考电压。
7.如权利要求5所述的像素电路,其中当该驱动晶体管是NMOS晶体管时,该第二参考电压不低于该第一参考电压。
8.如权利要求1所述的像素电路,其中当该像素电路在编程阶段操作时,该第一电源终端使得该有机发光二极管的第一末端为高阻抗。
9.如权利要求1所述的像素电路,其中当该像素电路在显示阶段操作时,该第一电源终端提供接地电压。
10.如权利要求1所述的像素电路,更进一步包含一第三开关,该第三开关由第二扫描信号控制耦合该第二电源终端到该参考电压终端。
11.如权利要求10所述的像素电路,其中该第一扫描信号和该第二扫描信号是为互相相反的相位。
12.如权利要求10所述的像素电路,其中当该像素电路在显示阶段操作时,启始第三开关耦合该参考电压终端到该第二电源终端。
13.如权利要求1所述的像素电路,其中该第一开关、该第二开关和该第三个开关是晶体管。
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