[发明专利]像素电路有效
申请号: | 200810083142.3 | 申请日: | 2008-03-07 |
公开(公告)号: | CN101276546A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 邱郁文 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种像素电路的装置(或方法),且特别涉及一种主动式有机发光二极管(Activated-Matrix Organic Light Emission Display,AMOLED)电压类型补偿像素电路的装置(或方法)。
背景技术
图1是绘示已知有机发光二极管像素电路的设计。像素电路是电压型补偿像素电路。像素电路有一有机发光二极管180,第一晶体管170,一驱动晶体管130,一电容器150,和第二晶体管110。第一晶体管170具有一源极/漏极176耦合到发光二极管180,其中第一晶体管170由第一扫描信号控制(SCAN1)。驱动晶体管130具有源极/漏极132和136。源极/漏极132通过晶体管160耦合至电源终端140,以及源极/漏极136耦合到第一晶体管170的源极/漏极172。电容器150耦合驱动晶体管130的栅极134到电源终端140。当启始第二扫描信号(SCAN2)时,第二晶体管110各自地耦合连接第一晶体管170的源极/漏极172到电容器150,并且耦合连接了栅极134和驱动晶体管130的源极/漏极136。
像素电路亦有第三晶体管190,第三晶体管190通过第二扫描信号控制耦合数据线120和驱动晶体管130的源极/漏极132。
已知像素电路的缺点在于具有五晶体管(晶体管110,130,160,170和190)。这些晶体管减少像素电路的开口率。
发明内容
根据本发明的一实施例,像素电路有一有机发光二极管、一驱动晶体管、一电容器和第一开关。有机发光二极管具有耦合到第一电源终端的第一末端。驱动晶体管有一源极和漏极各自地耦合第二电源终端和发光二极管的第二末端。电容器耦合连接驱动晶体管的栅极和参考电压终端。第一开关耦合发光二极管的第二末端到电容器,当启始第一扫描信号时,第一开关耦合连接栅极和驱动晶体管的漏极。
根据本发明的一实施例,像素电路连续地操作在预充电阶段、编程阶段和显示阶段期间。像素电路有一有机发光二极管、一驱动晶体管、一电容器和第一开关。有机发光二极管具有耦合第一电源终端的第一末端。驱动晶体管有源极和漏极各自地耦合连接第二电源终端和发光二极管的第二末端。电容器耦合连接驱动晶体管的栅极和参考电压终端。由第一扫描信号控制的第一开关耦合/退耦有机发光二极管的第二末端到/从驱动晶体管的栅极。在预充电和编程阶段启始第一扫描信号,且在显示阶段期间,关闭第一扫描信号。
通过举例可更了解前面概述和以下详细的描述,并且将会对此发明提供更进一步的解释。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:
图1是绘示已知有机发光二极管像素电路的设计;
图2A是根据本发明的一实施例所绘示的一有机发光二极管像素电路;
图2B是绘示如图2A所示的实施例的信号波形图;
图2C是根据本发明的实施例绘示在预充电阶段的有机发光二极管像素电路;
图2D是根据本发明的实施例所各自绘示在编程阶段的有机发光二极管像素电路;
图2E是根据本发明的实施例所各自绘示在显示阶段的有机发光二极管像素电路;
图3A是根据本发明的另一实施例所绘示的一有机发光二极管像素电路图;
图3B是绘示如图3A所示的实施例的信号波形图;
图4A是根据本发明的另一实施例所绘示的一有机发光二极管像素电路图;以及
图4B是绘示如图4A所示的实施例的信号波形图。
【主要元件符号说明】
150、250、350:电容器 180、210、310:有机发光二极
110、130、160、170、190、230、管
330:晶体管 120、299、399:数据线
132、172、232、332:源极 134、234、334:栅极
136、176、236、336:漏极 280、380:第二开关
270、370:第一开关 140、240、340:第二电源终端
220、320:第一电源终端 260、360:参考电压终端
212、312:第一末端 216、316:第二末端
具体实施方式
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