[发明专利]封装结构有效
申请号: | 200810083170.5 | 申请日: | 2008-03-07 |
公开(公告)号: | CN101527299A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 周辉星;王志坚 | 申请(专利权)人: | 先进封装技术私人有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,包括:
至少一第一半导体元件,包括:
多个第一导电凸块;
至少一第二半导体元件,包括:
多个第二导电凸块;
一半导体连接元件,包括:
一连接主板;
至少一信号导线,设置于该连接主板上,该信号导线的两端分别电性连接于该些第一导电凸块的其中之一及该些第二导电凸块的其中之一;及
至少一信号导电柱,电性连接于该信号导线;以及
一基板,电性连接于该信号导电柱。
2.如权利要求1所述的封装结构,其中,该第一半导体元件及该第二半导体元件皆为存储器芯片。
3.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一半导体元件及该第二半导体元件的线路结构相同。
4.如权利要求1所述的封装结构,其中该半导体连接元件包括:
一由塑模材料构成的第一绝缘层;
在该第一绝缘层中,设有由第一导电层构成的多个相互电性绝缘的封装导线布局单元;而该封装导线布局单元,则由多个相互电性绝缘的封装导线所组成;
在该第一导电层下方,设有一第二导电层于该第一绝缘层中;且该第一导电层与第二导电层为电性相连。
5.如权利要求1所述的封装结构,其中该信号导电柱贯穿该连接主板并电性连接至该信号导线的一线段中点,该线段中点至该信号导线的两端的长度相等。
6.如权利要求1所述的封装结构,其中该信号导线具有一U型转折结构。
7.如权利要求3所述的封装结构,其中该信号导线包括:
一第一子信号导线,一端连接于该些第一导电凸块的其中之一;
一第二子信号导线,一端连接于该些第二导电凸块的其中之一,并平行于该第一子信号导线;以及
一第三子信号导线,两端分别连接该第一子信号导线的另一端及该第二子信号导线的另一端。
8.如权利要求7所述的封装结构,其中该第三子信号导线垂直于该第一子信号导线及该第二子信号导线。
9.如权利要求1所述的封装结构,其中该些第一导电凸块沿一第一延伸线排列,该些第二导电凸块沿一第二延伸线排列,该第一延伸线及该第二延伸线相互平行,该些第一导电凸块及该些第二导电凸块交错排列。
10.如权利要求9所述的封装结构,其中该第一半导体元件还包括多个第三导电凸块,该第二半导体元件还包括多个第四导电凸块,该些第三导电凸块沿一第三延伸线排列,该些第四导电凸块沿一第四延伸线排列,该第一延伸线、该第二延伸线、该第三延伸线及该第四延伸线相互平行,该些第一导电凸块及该些第三导电凸块对应排列,该些第二导电凸块及该些第四导电凸块对应排列。
11.如权利要求10所述的封装结构,其中该半导体连接元件包括多个信号导电柱,部分的该些信号导电柱沿一第五延伸线排列,部分的该些信号导电柱沿一第六延伸线排列,该第五延伸线及该第六延伸线的间距大于该第一延伸线及该第三延伸线的间距,并大于该第二延伸线及该第四延伸线的间距。
12.如权利要求10所述的封装结构,其中该第一延伸线及该第三延伸线的间距为350微米,且该第二延伸线及该第四延伸线的间距为350微米。
13.如权利要求10所述的封装结构,其中各该第一导电凸块的间距为150微米,各该第二导电凸块的间距为150微米,各该第三导电凸块的间距为150微米,各该第四导电凸块的间距为150微米。
14.权利要求1所述的封装结构,其中该信号导线及该信号导电柱的材料为铜。
15.如权利要求1所述的封装结构,其中该基板为一陶瓷基板、一玻璃纤维基板或一印刷电路板。
16.如权利要求1所述的封装结构,其中该封装结构包括多个第一半导体元件及多个第二半导体元件,该些第一半导体元件及该些第二半导体元件的数量相同。
17.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一半导体元件还包括多个电源导电凸块,该半导体连接元件还包括一电源导线及一电源导电柱,该电源导线串接该些电源导电凸块,并邻近该些电源导电凸块设置。
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