[发明专利]一种半导体器件无效
| 申请号： | 200810084525.2 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101419979A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 游明华;叶凌彦;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1、一种半导体器件，其特征在于，包含：
衬底；
沟槽，位于该衬底的漏极及源极间；
应变层，位于该沟槽内，其中该应变层包含硅锗；以及
覆盖层，与该应变层接触，其中该覆盖层包含硅、硼化硅其中之一或其组合。
2、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，该沟槽的深度在30nm至100nm范围内。
3、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，该应变层具有中度掺杂浓度。
4、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包含轻掺杂次层，位于该衬底及该应变层间。
5、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，该中度掺杂浓度在1E19cm-3至1E20cm-3范围内。
6、一种半导体器件，其特征在于，包含：
衬底；
沟槽，位于该衬底的漏极及源极间；
应变层，位于该沟槽内，其中该应变层包含碳化硅；以及
覆盖层，与该应变层接触，其中该覆盖层包含硅、磷化硅其中之一或其组合。
7、根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，该沟槽的深度在30nm至100nm范围内。
8、根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，该应变层具有中度掺杂浓度。
9、根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包含轻掺杂次层，位于该衬底及该应变层间，其中该轻掺杂次层的掺杂浓度小于该中度掺杂浓度。
10、根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，该中度掺杂浓度在1E19cm-3至1E20cm-3范围内。
11、一种半导体器件，其特征在于，包含：
衬底；
P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区，位于该衬底上，该P型沟道金属氧化物半导体晶体管包含：
第一应变层，位于该P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内；以及
第一覆盖层，与该应变层接触；以及
N型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区，位于该衬底上，该N型沟道金属氧化物半导体晶体管包含：
第二应变层，位于该P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内；以及
第二覆盖层，与该应变层接触。
12、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，该第一应变层包含硅锗，该第一覆盖层包含硅、硼化硅其中之一或其组合，该第二应变层包含碳化硅；以及该第二覆盖层包含硅、磷化硅其中之一或其组合。
13、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包含：
第一轻掺杂次层，位于该衬底及该第一应变层间，其中该第一应变层具有一中度掺杂浓度；以及
第二轻掺杂次层，位于该衬底及该第二应变层间，其中该第二应变层具有中度掺杂浓度。
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