[发明专利]半导体封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200810085230.7 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101431086A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈朝祯;杨琳琪;周家琦;邓世杰 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/10;H01L21/52 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，包括：
基板，包括至少一个含有光感应元件的曝露区；
覆盖层，用于区隔该曝露区与外部环境，且该基板与覆盖层其中之一为基底，另一个为顶部结构；
坝状结构，形成于该基底上以形成空穴区，其中该坝状结构的顶部具有凹槽，该坝状结构利用粘着剂与该顶部结构接合，且该空穴区对应该曝露区；以及
栅状结构，形成于该基底之上，该栅状结构被该坝状结构所围绕，且该栅状结构围绕该曝露区。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该基底为该基板，且该顶部结构为该覆盖层。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该基底为该覆盖层，且该顶部结构为该基板。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该凹槽延伸至基底的表面。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该凹槽为沟槽。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该栅状结构的高度大于10μm。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该栅状结构与该坝状结构的高度相同。
8.一种半导体封装结构的形成方法，包括：
提供基底；
形成坝状结构于该基底上，以形成空穴区；
形成凹槽于该坝状结构的表面；
形成栅状结构于该基底之上，且该栅状结构被该坝状结构所围绕，以及
利用粘着剂接合该坝状结构与顶部结构，且该基底与该顶部结构其中之一为基板，另一个为一覆盖层，该基板包括至少一个含有光感应元件的曝露区，且该空穴区为该曝露区。
9.如权利要求8所述的半导体封装结构的形成方法，其中该凹槽为该栅状结构与该坝状结构之间的缺口。
10.如权利要求8所述的半导体封装结构的形成方法，其中该基底为该基板，且该顶部结构为该覆盖层。
11.如权利要求8所述的半导体封装结构的形成方法，其中该基底为该覆盖层，且该顶部结构为该基板。
12.如权利要求8所述的半导体封装结构的形成方法，其中该凹槽与该坝状结构同时形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
