[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于半导体封装结构，且特别有关于一种光感应半导体封装结构及其形成方法。

背景技术

传统的半导体封装主要是将半导体芯片封装于不透明的封装结构中，以避免半导体芯片受到外界的污染以及阻隔外界的湿气，且同时可保护半导体芯片不受外界撞击的影响。然而，含有光感应芯片的电子元件，例如，CMOS图像感应器，必须封装于光感应的封装结构中以接受外界的光线。因此半导体业界需要发展一种不同于传统半导体封装的光感应半导体封装结构及方法

图1显示一种传统光感应半导体的封装结构。参照图1，包括晶圆100，其具有光感应半导体元件102；坝状结构104形成于晶圆100之上，以形成空穴区(cavity)以曝露曝露区110；透明覆盖层106，其接合于坝状结构104的顶部，其中透明覆盖层106位于光感应半导体元件102的上方。

一般而言，通常会在透明覆盖层(如玻璃)上施以环氧树脂粘着剂，在经过热及压力的处理后，此固化的粘着剂可稳固地与坝状结构接合。

然而，因为坝状结构104的顶部为平坦结构，因此在透明覆盖层106与坝状结构104的顶部接合时，很容易会造成粘着剂108的溢漏及损失。此外，如果粘着剂溢漏至曝露区110中可能会污染光感应半导体元件造成合格率损失。因此，为了获得良好的半导体封装结构，半导体业界亟需一种新颖的封装技术及封装结构。

发明内容

本发明提供一种半导体封装结构，包括基板，该基板包括至少一个含有光感应元件的曝露区；覆盖层，用于区隔该曝露区与外部环境，且该基板与该覆盖层其中之一为基底，另一为顶部结构，以及坝状结构，形成于该基底上以形成空穴区，其中该坝状结构的顶部具有凹槽(recess)，该坝状结构利用粘着剂与该顶部结构接合，且该空穴区对应该曝露区。

如上所述的半导体封装结构，其中该基底为该基板，且该顶部结构为该覆盖层。

如上所述的半导体封装结构，其中该基底为该覆盖层，且该顶部结构为该基板。

如上所述的半导体封装结构，其中该凹槽延伸至基底的表面。

如上所述的半导体封装结构，其中该凹槽为沟槽。

本发明还提供一种半导体封装结构，包括基板，包括至少一个含有光感应元件的曝露区；覆盖层，用于区隔该曝露区与外部环境，且该基板与该覆盖层其中之一为基底，另一个为一顶部结构；坝状结构，形成于该基底之上以形成空穴区，其该坝状结构利用粘着剂与该顶部结构接合，以及栅状结构，形成于该基底之上且被该坝状结构所围绕，且该栅状结构围绕该曝露区。

如上所述的半导体封装结构，其中该栅状结构的高度大于10μm。

如上所述的半导体封装结构，其中该栅状结构与该坝状结构的高度相同。

本发明还提供一种半导体封装结构的形成方法，包括提供基底；形成坝状结构于该基底上，以形成空穴区；形成凹槽于该坝状结构的表面，以及利用粘着剂接合该坝状结构与顶部结构，且该基底与该顶部结构其中之一为基板，另一个为覆盖层，该基板包括至少一个含有光感应元件的曝露区，且该空穴区为该曝露区。

本发明能够有效地减少粘着剂的损失及溢漏，从而降低封装缺陷以获得良好的半导体封装结构及合格率。

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1显示传统的光感应半导体封装结构。

图2A显示光感应元件形成于基板上。

图2B显示光致抗蚀剂层形成于基板上。

图2C显示图案化光致抗蚀剂层以形成一个或多个坝状结构。

图2D显示在坝状结构的表面形成凹槽。

图2E显示凹槽可包括各种形状。

图2F显示覆盖层利用粘着剂连接至坝状结构的顶部。

图2G显示多个孔洞形成于坝状结构的顶部表面上。

图2H显示在坝状结构与光感应元件之间形成栅状结构。

图2I显示本发明实施例结构22的立体图。

图3A显示提供透明覆盖层。

图3B显示光致抗蚀剂材料形成于透明覆盖层上。

图3C显示一个或多个坝状结构形成于透明覆盖层上。

图3D显示在坝状结构的顶部表面形成凹槽。

图3E显示在坝状结构的顶部表面施以粘着剂，使封装结构可稳固地与晶圆接合。

图3F显示栅状结构形成于坝状结构及光感应元件之间，且光感应元件被栅状结构所围绕。

其中，附图标记说明如下：

100～晶圆；                        200～基板；