[发明专利]发光二极管封装模组无效
申请号: | 200810085271.6 | 申请日: | 2008-03-10 |
公开(公告)号: | CN101533880A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 林文达 | 申请(专利权)人: | 林文达;泰嘉谦 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 模组 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,尤其是一种发光二极管封装模组。
背景技术
在集成电路封装技术中,具有一种芯片直接封装(Chip on Board,COB)技术,其是将裸芯片直接粘在电路板或基板上,并结合三项基本制程:(1)芯片粘着(2)导线连接(3)应用封胶技术,有效将IC制造过程中的封装与测试步骤转移到电路板组装阶段。COB(Chip on Board)封装方式,运用在现代的各种电子产品,如计算机、手机、钟表、玩具、计算器等日常生活用品中皆可见。
参考图1A与图1B所示,其是为传统发光二极管封装模组100由上述COB技术封装的结构示意图。上述的传统发光二极管封装模组100包含一基板110、一发光二极管晶粒120、一第一连接导线130与一第二连接导线132,其中发光二极管晶粒120包含一第一电极与一第二电极。上述的发光二极管晶粒120是配置于基板110上,其中第一电极与第一连接导线130电性耦合,并且第二电极与第二连接导线132电性耦合,由此以形成传统发光二极管封装模组100。因为传统发光二极管封装模组100具有上述的基板110,故此传统发光二极管封装模组100常因体积过大而限制其应用层面。
发明内容
鉴于上述的背景中,为了符合产业上某些利益的需求,本发明提供一种发光二极管封装模组可用以解决上述传统的发光二极管封装模组未能达成的标的。
本发明的一目的是提供一种发光二极管封装模组,其包含一第一导线、一第二导线与一发光二极管晶粒,其中上述的发光二极管晶粒包含一第一电极与一第二电极。此发光二极管晶粒是配置于第二导线上,并且发光二极管晶粒的第二电极是电性耦合于第二导线,其中发光二极管晶粒的第一电极是由一第一连接导线以电性耦合于第一导线。
上述的发光二极管封装模组是将发光二极管晶粒直接配置于导线上,因而减少了传统发光二极管封装模组所必须的基板,以使此发光二极管封装模组具有较小的体积以及更多的应用。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下,其中:
图1A与图1B是为一传统发光二极管封装模组的结构示意图;
图2是为一发光二极管封装模组的电路示意图;
图3、图4、图5与图6是为一发光二极管封装模组的结构示意图;
图7A、图7B、图7C与图7D是为一发光二极管并联模组的结构示意图;
图8A、图8B与图8C是为一发光二极管串联模组的结构示意图;
图9A与图9B是为发光二极管串联/并联模组的实施示意图;
图10A与图10B是为发光二极管、连接导线与漆包线的剖面示意图;
图11A与图11C是为发光二极管串联/并联模组的结构示意图;以及
图11B与图11D是为发光二极管串联/并联模组的剖面示意图。
附图标号说明
100…传统发光二极管封装模组
110…基板
120…发光二极管晶粒
130…第一连接导线
132…第二连接导线
200…发光二极管封装模组
210…第一导线
212…第二导线
220…发光二极管晶粒
230…第一连接导线
232…第二连接导线
240…导电粘胶
250…透明包覆层
700…发光二极管并联模组
710…多数条导线
712…第一导线
714…第二导线
720…控制元件
722…电源
730…多数组发光元件
740…发光二极管
742…第一电极
744…第二电极
750…连接导线
752…第一接点
754…第二接点
800…发光二极管并联模组
810…多数条导线
812…第一导线
814…第二导线
820…控制元件
822…电源
830…多数组发光元件
840…发光二极管
842…第一电极
844…第二电极
850…连接导线
852…第一接点
854…第二接点
8301…任一组发光元件
8302…相邻的发光元件
1010…漆包线
1040…发光二极管
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林文达;泰嘉谦,未经林文达;泰嘉谦许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810085271.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:聚合物电池封装方法
- 下一篇:高压电容结构及其制造方法