[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，用于在处理室内对基板进行处理，其特征在于，包括：

在处理室内支撑基板的支撑部件；

与所述支撑部件热接触的第一温度调节部件；和

能够相对于所述支撑部件热接触以及隔离的第二温度调节部件，

所述第一温度调节部件和所述第二温度调节部件能够被温度调节至互不相同的温度。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述处理室内构成为能够密闭。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述支撑部件的背面从所述处理室的外部露出，在所述处理室的外部，所述第二温度调节部件能够相对于所述支撑部件的背面热接触以及隔离。

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

具有对所述处理室内进行排气的排气机构。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

具有向所述处理室内供给规定气体的气体供给机构。

6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述支撑部件的背面被所述第一温度调节部件所覆盖，所述第二温度调节部件与所述第一温度调节部件接触。

7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

构成为在所述支撑部件的内部埋入有所述第一温度调节部件，所述第二温度调节部件与所述支撑部件接触。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述支撑部件与所述第一温度调节部件的合计热容量比所述第二温度调节部件的热容量小。

9.一种基板处理方法，用于在处理室内处理基板，其特征在于，包括：

将基板支撑在具有能够调节温度的第一温度调节部件的支撑部件上，并使第二温度调节部件与所述支撑部件热接触来处理基板的工序；以及

使所述第二温度调节部件与所述支撑部件热隔离来对基板进行处理的工序。

10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于：

使所述第二温度调节部件在所述处理室的外部相对于所述支撑部件热接触或者隔离。

11.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于：

对所述处理室内进行排气。

12.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于：

向所述处理室内供给规定气体。

13.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于：

所述支撑部件与所述第一温度调节部件的合计热容量比所述第二温度调节部件的热容量小。

14.一种存储介质，存储有能够由基板处理装置的控制部执行的程序，其特征在于：

所述程序被所述控制部所执行，由此在所述基板处理装置中实施权利要求9～13中任一项所述的基板处理方法。