[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

背景技术

例如在半导体器件的制造工序中，使收纳有半导体晶片(以下称为“晶片”)的处理室内成为接近真空状态的低压状态，从而进行各种处理工序。作为利用该低压状态的处理的一个例子，例如，公知有化学氧化物除去处理(COR(Chemical Oxide Removal)处理)，其利用化学方法除去存在于晶片表面的氧化膜(二氧化硅(SiO₂))(参照专利文献1、2)。所谓该COR处理，是指在低压状态下，一边将晶片调温至规定温度，一边供给氟化氢气体(HF)和氨气气体(NH₃)的混合气体，使氧化膜变质成以氟硅酸铵(fluorosilicate ammonium)为主的反应生成物之后，加热该反应生成物使其气化(升华)，由此，将该反应生成物从晶片除去。

【专利文献1】美国专利申请公开第2004/0182417号说明书

【专利文献2】美国专利申请公开第2004/0184792号说明书

作为进行上述COR处理的装置，一般公知其包括：化学处理室，在比较低的温度下进行使晶片表面的氧化膜变质成反应生成物的工序；以及热处理室，在比较高的温度下进行加热反应生成物并使其升华从而将其从晶片除去的工序。然而，对于独立地具有该化学处理室和热处理室的处理装置而言，因为处理室的个数增加，所以具有下述难点，即，装置大型化，占地面积也增大。此外，若化学处理室和热处理室分别独立，则有必要在两者之间进行搬送，因此使搬送机构变得复杂，此外，还有可能在搬送中发生晶片被污染、污染物质从晶片放出的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够在同一处理室内急速地加热、冷却基板的基板处理装置以及基板处理方法。

为了解决上述问题，本发明提供一种基板处理装置，用于在处理室内对基板进行处理，其特征在于，包括：在处理室内支撑基板的支撑部件；与所述支撑部件热接触的第一温度调节部件；和能够相对于所述支撑部件热接触以及隔离的第二温度调节部件，所述第一温度调节部件和所述第二温度调节部件能够被温度调节至互不相同的温度。

对于该基板处理装置而言，所述处理室内也可以构成为能够密闭。此外，也可以是所述支撑部件的背面从所述处理室的外部露出，在所述处理室的外部，所述第二温度调节部件能够相对于所述支撑部件的背面热接触以及隔离的构造。此外，也可以具有对所述处理室内进行排气的排气机构。此外，也可以具有向所述处理室内供给规定气体的气体供给机构。此外，也可以是所述支撑部件的背面被所述第一温度调节部件所覆盖，所述第二温度调节部件与所述第一温度调节部件接触。此外，也可以构成为在所述支撑部件的内部埋入有所述第一温度调节部件，所述第二温度调节部件与所述支撑部件接触。此外，也可以是所述支撑部件与所述第一温度调节部件的合计热容量比所述第二温度调节部件的热容量小。

此外，本发明提供一种基板处理方法，用于在处理室内处理基板，其特征在于，包括：将基板支撑在具有能够调节温度的第一温度调节部件的支撑部件上，并使第二温度调节部件与所述支撑部件热接触来处理基板的工序；以及使所述第二温度调节部件与所述支撑部件热隔离来对基板进行处理的工序。

此外，本发明提供一种存储介质，存储有能够由基板处理装置的控制部执行的程序，其特征在于：所述程序被所述控制部所执行，由此在所述基板处理装置中实施上述基板处理方法。

根据本发明，通过使第二温度调节部件相对于支撑部件热接触或者隔离，而能够急速地加热冷却支撑在支撑部件上的基板。由此，能够在同一处理室内对基板进行低温处理以及高温处理，能够使装置小型化，并且不需要用于搬送基板的复杂顺序。

附图说明

图1是表示处理系统的简要构成的平面图。

图2是COR处理装置的说明图，表示的是冷却区块(block)上升的状态。

图3是COR处理装置的说明图，表示的是冷却区块下降的状态。

图4是升降机构的说明图。

图5是放大表示相对于台部的上面的面板(face plate)的周缘部的安装结构的局部截面图。

图6是放大表示面板的周缘部与图5中的不同的安装结构的局部截面图。

图7是用于说明冷却区块的纵截面图。

图8是对Si层进行蚀刻处理前的晶片表面的构造的简要纵截面图。

图9是对Si层蚀刻处理后的晶片表面的构造的简要纵截面图。

图10是表示COR处理后的晶片的表面状态的简要纵截面图。