[发明专利]半导体器件微图案的形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：

在其上形成有蚀刻目标层的半导体衬底上形成具有不同曝光类型的第一光刻胶层和第二光刻胶层；

在所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层上实施曝光工艺以分别在所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层中形成第二曝光区域和第一曝光区域，所述第二曝光区域和所述第一曝光区域以特定的间隔彼此分隔；

通过显影所述第二光刻胶层形成第二光刻胶图案；

通过实施采用所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来蚀刻所述第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图案；

通过显影所述第一光刻胶图案形成辅助图案；和

通过采用所述辅助图案来蚀刻所述蚀刻目标层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述蚀刻目标层和所述第一光刻胶层之间形成底部抗反射涂层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述蚀刻目标层和所述底部抗反射涂层之间形成硬掩模层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光刻胶层由负性光刻胶层形成，所述第二光刻胶层由正性光刻胶层形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光刻胶层由正性光刻胶层形成，所述第二光刻胶层由负性光刻胶层形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中利用曝光掩模在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶中形成所述第一曝光区域和所述第二曝光区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述曝光工艺过程中，在第一能量水平下在所述第二光刻胶层中限定所述第二曝光区域，在低于所述第一能量水平的第二能量水平下在所述第一光刻胶层中限定所述第一曝光区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的间距是通过最终工艺形成的微图案的间距的两倍。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述曝光工艺过程中，在第三能量水平下在所述第一光刻胶层中限定所述第一曝光区域，在低于所述第三能量水平的第四能量水平下在所述第二光刻胶层中限定所述第二曝光区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的间距是通过最终工艺形成的微图案的间距的两倍。

11.一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：

在其上形成有底部抗反射涂层的半导体衬底上形成具有不同曝光类型的第一光刻胶层和第二光刻胶层；

通过实施曝光工艺，在所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层中分别形成第二曝光区域和第一曝光区域，所述第二曝光区域和所述第一曝光区域以特定间隔彼此分隔；

通过显影所述第二光刻胶层形成第二光刻胶图案；

通过实施采用所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来蚀刻所述第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图案；和

通过显影所述第一光刻胶图案形成辅助图案。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述半导体衬底和所述底部抗反射涂层之间形成蚀刻目标层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述蚀刻目标层和所述底部抗反射涂层之间形成硬掩模层。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一光刻胶层由负性光刻胶层形成，所述第二光刻胶层由正性光刻胶层形成。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一光刻胶层由正性光刻胶层形成，所述第二光刻胶层由负性光刻胶层形成。

16.根据权利要求11所述的方法，其中利用曝光掩模分别在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶中同时形成所述第一曝光区域和所述第二曝光区域。

17.根据权利要求11所述的方法，其中在所述曝光工艺过程中，在第一能量水平下在所述第二光刻胶层中限定所述第二曝光区域，并在低于所述第一能量水平的第二能量水平下在所述第一光刻胶层中限定所述第一曝光区域。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的间距是通过最终工艺形成的微图案的间距的两倍。