[发明专利]高效整流器

权利要求书

1.一种半导体整流器件，包括：

一层用第一导电类型的掺杂剂使其过饱和的过饱和硅；

第一导电类型的本底区域，大致在过饱和硅层之下且与其相邻；

第二导电类型的漂移区域，大致在本底区域之下且与其相邻；以及

第二导电类型的基片，大致在漂移区域之下。

2.如权利要求1所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括大致在过饱和硅层之上且与其相邻的硅化物区域，其中，所述硅化物区域包括高级硅化物。

3.一种半导体整流器件，包括：

δP₊₊层；

大致在δP₊₊层之下且与其相邻的P本底；

大致在P本底区域之下且与其相邻的N漂移区域；以及

大致在N漂移区域之下的N₊基片。

4.如权利要求3所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括大致在δP₊₊层之上的阳极和大致在N₊基片之下的阴极。

5.如权利要求3所述的半导体整流器件，其特征在于，所述δP₊₊层包括P掺杂硅的过饱和区域并且具有大约几个原子层的厚度。

6.如权利要求3所述的半导体整流器件，其特征在于，所述N漂移区域具有大约0.4欧姆-厘米的电阻率并且其厚度大约3微米。

7.如权利要求3所述的半导体整流器件，其特征在于，所述N₊基片具有大约等于或者小于5×10^-3欧姆-厘米的电阻率。

8.如权利要求7所述的半导体整流器件，其特征在于，所述N₊基片是采用砷进行掺杂的。

9.如权利要求7所述的半导体整流器件，其特征在于，所述N₊基片是采用磷进行掺杂的。

10.如权利要求3所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括大致在δP₊₊层之上并与其相邻的高级硅化物区域。

11.如权利要求10所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括一层用作栅极电介质的氧化物，这层氧化物大致位于N漂移区域、P本底、δP₊₊层和硅化钛区域中的一种或者多种之上并与之相邻。

12.如权利要求11所述的半导体整流器件，其特征在于，所述氧化层具有大约的厚度。

13.如权利要求11所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括一层大致在氧化层之上且与其相邻的多晶硅。

14.如权利要求13所述的半导体整流器件，其特征在于，所述多晶硅层是采用砷以大约40KeV的能量进行注入的。

15.如权利要求13所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括一层大致在多晶硅层之上且与其相邻的钛。

16.如权利要求15所述的半导体整流器件，其特征在于，所述钛具有大约的厚度。

17.如权利要求15所述的半导体整流器件，其特征在于，还包括一层大致在钛层之上且与其相邻的氮化钛。

18.如权利要求16所述的半导体整流器件，其特征在于，所述氮化钛层具有大约的厚度。

19.一种制造半导体整流器件的方法，该方法包括如下步骤：

(a)在第二导电类型的基片上沉积第二导电类型的漂移区域；

(b)将第一导电类型的掺杂剂注入漂移区域从而形成第一导电类型的本底区域；

(c)在本底区域上形成一层高级硅化物；以及

(d)使一部分注入的掺杂剂集中在高级硅化物层和本底区域之间的界面区域处从而产生一层用第一导电类型的掺杂剂使其过饱和的硅。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述高级硅化物层包括硅化钛。