[发明专利]制造半导体器件的方法及控制系统

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过以下步骤在形成在半导体衬底上的要加工的绝缘膜中形成凹部，该凹部用作互连沟槽或者通路孔，这些步骤包括：在要加工的所述绝缘膜上按顺序层叠抗反射膜和上抗蚀膜，并且通过经由具有预定图案的掩模的光刻曝光并显影，在所述上抗蚀膜内形成开口，

使用包含氟基气体的第一蚀刻气体，经由用作掩模的所述上抗蚀膜蚀刻所述抗反射膜，及

将形成在所述抗反射膜中的图案转印到要加工的所述绝缘膜；并且

针对多个所述绝缘膜重复所述形成凹部的步骤，以便形成分别对应所述多个所述绝缘膜的不同图案的多个凹部，从而形成多层结构；

其中在所述形成凹部的每一个中在所述蚀刻所述抗反射膜的步骤中，与尺寸偏移Δ(L₂-L₁)相关联的一个蚀刻条件的值，对应于形成在所述上抗蚀膜内形成的开口的孔径比而变化，以便随着所述开口的所述孔径比增加而减少所述尺寸偏移Δ(L₂-L₁)，其中L₁是在所述上抗蚀膜内形成开口的步骤中获得的所述上抗蚀膜内的所述开口的宽度，而L₂是在所述转印图案的步骤中在所述绝缘膜内形成的凹部的宽度。

2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中在所述蚀刻所述抗反射膜的步骤中与所述尺寸偏移Δ(L₂-L₁)相关联的所述一个蚀刻条件是：包含在所述第一蚀刻气体中的组成气体的流速、放置所述半导体衬底的工作台的温度、进行蚀刻的仓室内的压力，或者偏置功率。

3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述第一蚀刻气体包含CF₄；并且

在所述蚀刻所述抗反射膜的步骤中与所述尺寸偏移Δ(L₂-L₁)相关联的所述一个蚀刻条件是CF₄的流速，以便随着在所述上抗蚀膜中形成的所述开口的孔径比增加而减少CF₄的流速的同时蚀刻所述抗反射膜。

4.根据权利要求3的制造半导体器件的方法，

其中所述第一蚀刻气体是纯净的CF₄气体。

5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中，在所述上抗蚀膜中形成开口的步骤中，在所述绝缘膜上层叠所述抗反射膜及所述上抗蚀膜之前，在所述绝缘膜上按顺序层叠下抗蚀膜和中间绝缘膜，并且在所述中间绝缘膜上层叠所述抗反射膜和所述上抗蚀膜，及

所述将形成在所述抗反射膜中的图案转印到要加工的所述绝缘膜的步骤进一步包括：

经由所述上抗蚀膜和用作掩模的所述抗反射膜蚀刻所述中间绝缘膜；

经由用作掩模的所述中间绝缘膜蚀刻所述下抗蚀膜；并且

经由用作掩模的所述下抗蚀膜蚀刻要加工的所述绝缘膜。

6.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，

其中，在所述蚀刻所述中间绝缘膜的步骤中，在从蚀刻要加工的所述绝缘膜的条件降低电离度的条件下蚀刻所述中间绝缘膜。

7.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，

其中，在所述蚀刻所述抗反射膜的步骤中，在从蚀刻要加工的所述绝缘膜的条件降低电离度的条件下蚀刻所述抗反射膜。

8.根据权利要求5的制造半导体器件的方法，

其中所述中间绝缘膜是SiO₂膜。

9.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中所述上抗蚀膜是使用ArF准分子激光器作为光源的光刻法中所用的抗蚀膜；并且

在所述上抗蚀膜中形成开口的步骤中，通过使用ArF准分子激光器作为光源的光刻法在所述上抗蚀膜中形成所述开口。