[发明专利]高压电容结构及其制造方法

权利要求书

1.一种高压电容结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成一双重扩散漏极结构层作为一高压电容的下电极板；

形成一氧化层于所述双重扩散漏极结构层上，且所述氧化层完全重叠于所述双重扩散漏极结构层上；以及

形成一多晶硅层于所述氧化层上，作为所述高压电容的上电极板。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，更包括：

提供一基板；以及

在所述基板上形成一第一阱区，以供形成所述双重扩散漏极结构层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第一阱区上形成另一双重扩散漏极结构层作为另一高压电容的下电极板；

形成另一氧化层于所述另一双重扩散漏极结构层上，且所述另一氧化层完全重叠于所述另一双重扩散漏极结构层上；以及

形成另一多晶硅层于所述另一氧化层上，作为所述另一高压电容的上电极板。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成一隔离元件于所述双重扩散漏极结构层与所述另一双重扩散漏极结构层之间。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述隔离元件为浅沟绝缘层。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述隔离元件为场氧化层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高压电容是用于液晶显示器驱动集成电路。

8.一种高压电容结构，其特征在于，包括：

一双重扩散漏极结构层，用以作为一高压电容的下电极板；

一氧化层，是形成于所述双重扩散漏极结构层上，且所述氧化层完全重叠于所述双重扩散漏极结构层上；以及

一多晶硅层，是形成于所述氧化层上，用以作为所述高压电容的上电极板。

9.如权利要求8所述的高压电容结构，其特征在于，所述双重扩散漏极结构层是形成于一第一阱区，且所述第一阱区是形成于一基板上。

10.如权利要求9所述的高压电容结构，其特征在于，所述第一阱区上是形成另一双重扩散漏极结构层作为另一高压电容的下电极板。

11.如权利要求10所述的高压电容结构，其特征在于，所述另一双重扩散漏极结构层上是形成另一氧化层，且所述另一氧化层完全重叠于所述另一双重扩散漏极结构层上。

12.如权利要求11所述的高压电容结构，其特征在于，所述另一氧化层上是形成另一多晶硅层作为所述另一高压电容的上电极板。

13.如权利要求12所述的高压电容结构，其特征在于，所述双重扩散漏极结构层与所述另一双重扩散漏极结构层之间是形成一隔离元件。

14.如权利要求13所述的高压电容结构，其特征在于，所述隔离元件为浅沟绝缘层。

15.如权利要求13所述的高压电容结构，其特征在于，所述隔离元件为场氧化层。

16.如权利要求8所述的高压电容结构，所述高压电容是用于液晶显示器驱动集成电路。