[发明专利]半导体器件、基底、设备板、半导体器件制造方法和半导体芯片无效
申请号: | 200810086502.5 | 申请日: | 2005-08-24 |
公开(公告)号: | CN101241910A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 助川俊一;关野武男;重并贤一;东井真一;清水达夫 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L25/00;H01L23/48;H01Q7/00;H01Q21/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 基底 设备 制造 方法 半导体 芯片 | ||
本分案申请是基于申请号为200510092777.6,申请日为2005年8月24日,发明名称为“半导体器件、基底、设备板、半导体器件制造方法和半导体芯片”的中国专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请包括与2004年8月24日向日本专利局提交的日本专利申请JP2004-244019相关的主题,在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及半导体器件、基底、设备板、半导体器件的制造方法和通信用半导体芯片,更具体地,涉及可以减少半导体器件的尺寸的半导体器件、基底、设备板、半导体器件的制造方法和通信用半导体芯片。
背景技术
随着电子装置的广泛使用,已提出了以低成本实现多芯片封装和封装内系统(SIP)的层叠技术和芯片间布线技术(例如,参见日本未审查专利申请公开No.8-316408)。
上述公开说明了层叠多个基底、将另一基底接合到层叠基底的侧面上、并经由接合到层叠基底上的基底将层叠基底的端子连接到在下区域中设置的端子的方法。
在日本未审查专利申请公开No.8-316408中说明的方法中,端子的数量受到基底的侧面的宽度的限制。为了增加端子的数量,必须增加接合到侧面上的基底的数量。由于基底仅有四个侧面,因此端子可得到的最大长度是基底的侧面的宽度的四倍。因此,要增加端子的数量,必须增加基底的侧面的宽度。但是,增加基底的侧面的宽度还会增加半导体器件的整体尺寸。
根据本发明的实施例的半导体器件可以在提供大量的端子同时减少半导体器件的整体尺寸。
发明内容
根据本发明的实施例的半导体器件包括包括平板体的第一基底,该平板体具有用于安装电子部件的第一表面和与第一表面基本平行的第二表面。第一和第二表面被设置为沿基底的宽度方向相互平行。第一基底包括:用于安装电子部件的平板体上的第一区、包括用于向/从第二基底发送和接收信号的以群集的方式设置的多个第一通信单元的平板体上的第二区、在第一区或第二区上设置的输入输出电路、和用于控制输入输出电路的输入和输出的控制电路。输入输出电路对应于第一通信单元,且输入输出电路的每一个包括用于将信号输出到与第一通信单元对应的第二基底的第二通信单元的输出电路、和用于接收从对应的第二通信单元发送的信号的输入单元。控制电路构成为控制输入输出电路的输入和输出且被设置在第一基底的第一区或第二区上。
半导体器件可以包括用于切换第一通信单元中的一个和电子部件的预定端子之间的连接的连接切换电路。在第一基底的第一区或第二区上设置连接切换电路。
在半导体器件中,第一通信单元可以为第一通孔。第一基底的第二区中的第一通孔经由第一凸点在与第一基底的第二区中的第一通孔对应的位置与第二基底上的第二通孔电连接。第二基底被设置为与第一基底的平板体相邻且基本平行。
半导体还可以包括被设置为与第一基底的平板体基本平行且分开的平面金属薄膜。金属薄膜通过第二凸点与第一基底接合,其中第二凸点被插入金属薄膜和基底之间。
在半导体器件中,电子部件可以被设置为与金属薄膜接触设置,使得由电子部件产生的热可以被散去。
在半导体器件中,可以在第一基底的第二区中设置金属薄膜,使得金属薄膜包围各第一通信单元。
在半导体器件中,金属薄膜的一部分可以突出到第一基底的第一区外面。
在半导体器件中,金属薄膜可以经由第一凸点向电子部件馈电。
在半导体器件中,第一通信单元可以为天线。
根据本发明的另一实施例的半导体器件包括多个基底,该多个基底包括第一基底至第四基底。第一基底至第四基底的每一个包括具有用于安装电子部件的第一表面和与第一表面基本平行的第二表面的平板体,该第一和第二表面被设置为沿基底的宽度方向相互平行。在第一基底上安装第一电子部件。在第二基底上安装第二电子部件。在设置第二基底时使得第一基底的第一表面和第二基底的第一表面相对。在第三基底上安装第三电子部件。在第四基底上安装第四电子部件。在设置第四基底时使得第三基底的第一表面和第四基底的第一表面相对。在关于第二基底和第三基底相互对应的位置上,在第二基底和与第二基底邻近的第三基底上形成用于接收信号的天线。
在半导体器件中,可以在各基底的平板体上以群集的方式形成天线。
半导体器件还可以包括用于切换天线中的一个和电子部件的预定端子之间的连接的连接切换电路。
半导体器件还可以包括分别被设置为与基底的平板基本平行的平面金属薄膜,其中,金属薄膜向设置在基底上的电子部件馈电。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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