[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810086779.8 | 申请日： | 2005-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101246944A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 丸田秀昭 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体发光器件，它包括衬底，以及依序设置于所述衬底上的至少为第一半导体层、活性层和第二半导体层；
其中，所述第二半导体层具有的极性与第一半导体层的极性不同，并且在露出活性层的各侧面上的第一半导体层、活性层和第二半导体层的总面积为第二半导体层的未覆盖的顶面的面积的5％或更大，并且
露出活性层的侧面与第二半导体层的未覆盖的顶面形成一个138°或更大的内角。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
所述衬底的形成第一半导体层的衬底表面的相反侧表面具有反射层。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述半导体发光器件是以AlxGayIn1-x-yN为代表的III族氮化物半导体发光器件，并且0≤x≤1，0≤y≤1以及0≤x+y≤1。
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