[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基底；

第一晶体管，形成于所述基底上，所述第一晶体管包括第一栅极电极、 多个第一间隙壁和多个第一源极/漏极区；及

第二晶体管，形成于所述基底上，所述第二晶体管包括第二栅极电极、 多个第二间隙壁和多个第二源极/漏极区；

其中所述多个第一源极/漏极区包括外延成长区；及

其中所述多个第一源极/漏极区的外延成长区和第二源极/漏极区均包括 凹槽区，因此延伸超出所述多个第一间隙壁的所述多个第一源极/漏极区的顶 部表面凹陷至低于所述第一间隙壁下的所述多个第一源极/漏极区的顶部表 面，且延伸超出所述多个第二间隙壁的所述多个第二源极/漏极区的顶部表面 凹陷至低于所述多个第二间隙壁下的所述多个第二源极/漏极区的顶部表面， 其中该第一晶体管是P型，该第二晶体管是N型，其中在所述第一晶体管中， 所述多个第一源极/漏极区的外延成长区延伸至所述多个第一间隙壁下方；及

其中所述第一晶体管的第一栅极电极顶部高度低于所述第一间隙壁顶 部高度，所述第二晶体管的第二栅极电极顶部高度低于所述第二间隙壁顶部 高度，该第一栅极电极与该第一间隙壁间的凹陷区填入第一蚀刻停止层，该 第二栅极电极与该第二间隙壁间的凹陷区填入第二蚀刻停止层，且一硅化区 位于该第一蚀刻停止层与该第一栅极电极间以及该第二蚀刻停止层与该第 二栅极电极间。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中上述第一蚀刻停止层位于延伸 超出所述多个第一间隙壁的所述多个第一源极/漏极区上方，上述第二蚀刻停 止层位于延伸超出所述多个第二间隙壁的所述多个第二源极/漏极区上方。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第一蚀刻停止层和第二蚀 刻停止层为应力薄膜。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中至少部分的外延成长区为硅 化。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中部分的位于所述多个第一间隙 壁下的外延成长区的厚度，比没有被所述多个第一间隙壁覆盖的部分所述外 延成长区厚。

6.一种半导体元件，包括：

基底；

第一栅极电极，位于所述基底上；

多个第一间隙壁，位于所述第一栅极电极两侧的基底上；

多个第一源极/漏极区，位于所述第一栅极电极两侧的基底中，所述多个 第一间隙壁延伸至少部分的所述多个第一源极/漏极区上方，延伸超出所述多 个第一间隙壁的第一源极/漏极区是凹陷，因此定义多个第一凹槽部分，其中 所述第一源极/漏极区的第一凹槽部分包括应力导引层，所述第一源极/漏极 区位于该第一间隙壁下的部分高于超出该第一间隙壁下的部分，且所述第一 源极/漏极区的应力导引层延伸至所述第一间隙壁下方，

其中所述第一栅极电极顶部高度低于所述第一间隙壁顶部高度，该第一 栅极电极与该第一间隙壁间的凹陷区填入一蚀刻停止层，且一硅化区位于该 蚀刻停止层与该第一栅极电极间。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中上述蚀刻停止层位于所述多个 第一源极/漏极区的第一凹槽部分的上方。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中所述蚀刻停止层为应力薄膜。

9.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述第一栅极电极、所述多个 第一间隙壁和所述多个第一源极/漏极区形成PMOS晶体管。

10.如权利要求6所述的半导体元件，还包括第二栅极电极，形成于所 述基底上，所述第二栅极电极包括多个第二间隙壁和多个第二源极/漏极区， 位于所述第二栅极电极两侧的基底上，所述多个第二源极/漏极区具有第二凹 槽部分，所述多个第二间隙壁不延伸至所述第二凹槽部分上方，所述多个第 二源极/漏极区不是外延成长材料。