[发明专利]发光二极管及其制法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管结构包括：

至少一发光二极管元件，该发光二极管元件包括有一蓝宝石基板、一N型氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓发光层、一N型金属电极、一P型氮化镓欧姆接触层、一透光导电层、一P型金属电极及一第一金属接着层，而该蓝宝石基板上方设有该N型氮化镓欧姆接触层，该N型氮化镓欧姆接触层上方的一侧设有该氮化铟镓发光层，该N型氮化镓欧姆接触层上方的另一侧电性耦合该N型金属电极，而该氮化铟镓发光层上方设有该P型氮化镓欧姆接触层，该P型氮化镓欧姆接触层上方设有该透光导电层，该透光导电层上方电性耦合该P型金属电极，而该第一金属接着层设于该蓝宝石基板的下方；

一硅元件组，该硅元件组结合于该发光二极管元件的下方，该硅元件组包括有一硅元件，该硅元件上方的二侧各设有一导电金属层，而该硅元件上方二侧的导电金属层之间且对应该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层处设有至少一第二金属接着层，以供该硅元件组的硅元件上方的第二金属接着层对应结合于该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层的下方；以及

至少二连接导线，该至少二连接导线供该发光二极管元件与硅元件组相互电性连接，其中一连接导线设于该至少一发光二极管元件的P型金属电极与硅元件组上方一侧的导电金属层之间，而另一连接导线设于该至少一发光二极管元件的N型金属电极与硅元件组上方另一侧的导电金属层之间；

由此，形成一具便于实施、适合大量生产、降低制作成本及解决散热问题的发光二极管。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该蓝宝石基板的厚度至多为150μm。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该硅元件组的硅元件采用硅基板、以硅基板制成的电阻、以硅基板制成的双向二极管其中任一。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该第一金属接着层及该第二金属接着层选自银、铝、镍、钛、金、铂、金锡、锡、钨及其合金所组成的群组的其中任一种。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层与硅元件组的硅元件上方的第二金属接着层相互结合的方式采用热压、超音波、共晶的其中任一。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该硅元件组上方结合至少二颗发光二极管元件，而各发光二极管元件彼此间设有一连接导线，以供电性连接。

7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该硅元件组上方结合至少二颗的发光二极管元件，而各发光二极管元件的蓝宝石基板、N型氮化镓欧姆接触层、氮化铟镓发光层、P型氮化镓欧姆接触层、透光导电层外进一步披覆一绝缘层，且各发光二极管元件彼此间的N型金属电极与P型金属电极上方各设有一金属层相互连接，以供形成电性导通。

8.如权利要求1、6或7所述的发光二极管结构，其中，该硅元件组上所结合的发光二极管元件至少为二颗，而各发光二极管元件之间结合方式采用为串联、并联、串联及并联组合的其中任一。

9.一种发光二极管的制法，其特征在于，该发光二极管的制法包括下列步骤：

步骤一.制作至少一发光二极管元件：于一蓝宝石基板上进行至少一发光二极管的磊晶后，再于该蓝宝石基板的下方镀上至少一第一金属接着层，以完成至少一发光二极管元件的制作；

步骤二.制作硅元件组：于该硅元件上方的二侧分别形成一导电金属层，再于该硅元件上方对应于该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层处镀上至少一第二金属接着层，以完成该硅元件组的制作；

步骤三.将至少一发光二极管元件结合于硅元件组的上方：以该发光二极管元件的蓝宝石基板下方的第一金属接着层与硅元件组的硅元件上方的第二金属接着层相互对应结合，而接着形成一发光二极管；以及

步骤四.将至少一发光二极管元件与硅元件组电性连接：采用打线方式，于该发光二极管元件的P型金属电极与硅元件组上方一侧的导电金属层之间设有一连接导线，而于该发光二极管元件的N型金属电极与硅元件组上方另一侧的导电金属层之间设有另一连接导线，以供使发光二极管元件与硅元件组相互电性连接；由此，即完成发光二极管的制作。