[发明专利]发光二极管及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制法，尤指一种通过至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线的组合设计，使具便于制作、适合大量生产、有效降低制作成本及解决散热问题的效果，而适用于氮化镓发光二极管或其它类似的发光二极管结构。

背景技术

氮化镓系(Gallium Nitride-base；GaN-based)的发光二极管，例如氮化镓(GaN)蓝光发光二极管，在近几年的发光元件市场中甚为重视，但是，一般的氮化镓系(Gallium Nitride-base；GaN-based)的发光二极管，基于其结晶品质考量，大多选用蓝宝石(sapphire)材质作为基板，然而，该蓝宝石为一绝缘材料且具散热性不佳的特性，会导致发光二极管于运作时，易产生过热现象，而降低整体运作的效能。

因此，已有前人投入改善氮化镓(GaN)发光二极管的散热性问题的研究，目前已提出的改善方法其一为：当氮化镓(GaN)发光二极管的发光二极管元件于蓝宝石基板上长成后，再将该导热性差的蓝宝石基板利用如：激光剥离等方法去除，并于去除蓝宝石基板之后，再将氮化镓(GaN)发光二极管的发光二极管元件与散热性佳的基板(如：硅基板等)接合。另一改善发光二极管的蓝宝石基板散热性差的方法是将该发光二极管倒置，即蓝宝石基板朝上，而使蓝宝石基板上长成的发光二极管元件朝下并以倒装(Flip chip)方法再与散热性佳的基板(如：硅基板等)相互接合。

然而，上述两种方法虽可行，但是，第一种方法在去除蓝宝石基板的制作上，其技术极为困难且制作不易，至今仍无法实现大量生产，也使其制程成本无法降低；第二种方法以倒置发光二极管后再倒装(Flip chip)接合散热性佳的基板，却需要精确地上下对准技术，其制程的精度需求极高，故容易造成制成品的良率偏低，进而有制作成本过高等问题，综上可知，上述两种方法皆具制作不易、制程成本极高的问题，为其最主要的缺陷。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种发光二极管及其制法，通过至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线的组合设计，使具便于实施及同时可解决散热问题的功效，以增加本发明的实用性及便利性。

本发明的又一目的在于，提出一种发光二极管及其制法，通过至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线的组合设计，依据本发明的发光二极管结构，以提供一种制法而不需费力移除蓝宝石基板，即可具有便于实施、可实现量产化以及降低制程成本的功效，以增加本发明的实用性及便利性。

本发明的再一目的在于，提出一种发光二极管及其制法，通过至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线的组合设计，其中该硅元件组的硅元件可采用以硅基板制作形成的双向二极管(稽纳二极管(Zener Diode))，除了具硅基板的散热性佳的特性外，使具有抗静电保护，进而可延长使用寿命，增进本发明的实用性。

本发明的更一目的在于，提出一种发光二极管及其制法，通过至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线的组合设计，其中该硅元件组的硅元件可采用以硅基板制作形成电阻，除了具硅基板的散热性佳的特性外，更进一步具防止流经发光二极管的电流过高，而可避免造成烧毁的效果，以增进本发明的实用性。

本发明的进一目的在于，提出一种发光二极管及其制法，通过至少一发光二极管元件、一硅元件组及至少二连接导线的组合设计，于该硅元件组的硅元件上可以结合一个以上的发光二极管元件，以形成多颗发光二极管相互串联、并联或串联及并联组合的发光二极管结构，达到发光二极管混光或借助数颗发光二极管的连接以增强发光源亮度的效果，另外，通过该多颗发光二极管的连接可使应用端(发光二极管的制成产品)直接用于交流电压源的使用，免除一般发光二极管(LED)用于市电需要整流器或变压器造成成本过高的问题，以增进本发明的实用性及延伸使用性。