[发明专利]升压电路、电源电路及液晶驱动装置无效
申请号: | 200810087734.2 | 申请日: | 2005-01-20 |
公开(公告)号: | CN101247077A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 西村元章 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H02J1/00;G09G3/36 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;麻吉凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 升压 电路 电源 液晶 驱动 装置 | ||
1.一种升压电路,其利用电荷泵工作生成升压电压,其特征在于包括:
第一-第N晶体管,各晶体管串联连接,其中,N为大于等于2的整数;以及
第一-第N放电晶体管,
其中,第一晶体管的源极或漏极中的一个上被供给有第一电压,
第N晶体管的源极或漏极中的一个连接至第N-1晶体管,在所述第N晶体管的源极或漏极中的另一个上输出所述升压电压,
所述第j放电晶体管的源极或漏极中的一个上被供给有放电电压,所述第j放电晶体管的源极或漏极中的另一个连接有第k晶体管的源极或漏极中的一个,其中,j为大于等于1且小于等于N的整数,k为大于等于1且小于等于N的整数,
所述第k晶体管具有:
形成在第一导电型的第k势阱区上的第二导电型的源极区和漏极区,所述第一导电型的所述第k势阱区被设置在半导体衬底上的所述第二导电型的区域上;以及
隔着绝缘膜设置在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区上的栅极。
2.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于:在所述第二导电型的区域和所述第k势阱区的接合处施加有反向电压。
3.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于:
所述第一晶体管,其一端被提供有所述第一电压,在第一期间向第一电容器的一端施加所述第一电压,所述第一电容器的另一端在所述第一期间具有第二电压,在第二期间具有所述第一电压,
第i晶体管,其一端连接在第i-1晶体管的一端上,并在所述第二期间将第i电容器的一端连接在第i-1电容器的一端上,所述第i电容器的另一端在所述第一期间具有所述第一电压,在所述第二期间具有所述第二电压,其中,2≤i≤N,N是大于等于3的整数,i是偶数,
第j晶体管,其一端连接在第j-1晶体管的一端上,并将第j电容器的一端在所述第一期间连接在第j-1电容器的一端上,所述第j电容器的另一端在所述第一期间具有所述第二电压,在所述第二期间具有所述第一电压,其中,3≤j≤N,j是奇数。
4.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于:
在进行放电工作时,根据升压倍率,将所述第一-第N放电晶体管的各放电晶体管设定为导通状态或非导通状态。
5.根据权利要求4所述的升压电路,其特征在于:
还包括偏置比设定寄存器,所述偏置比设定寄存器用于设定偏置比,所述偏置比由施加在简单矩阵型液晶面板的公共电极上的公共电压的振幅和施加在段电极上的段电压的振幅求得,
在进行放电工作时,根据所述偏置比设定寄存器的设定值,将所述第一-第N放电晶体管的各放电晶体管设定为导通状态或非导通状态。
6.根据权利要求5所述的电源电路,其特征在于:
在所述偏置比设定寄存器的初始化信号激活,并且反偏压小于或等于阈值的前提下,所述第一-第N放电晶体管全都被设定为导通状态。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的升压电路,其特征在于:
在进行上述放电工作时,仅将所述第一-第N放电晶体管中的与进行放电工作的电容器连接的放电晶体管设定为导通状态。
8.根据权利要求1所述的升压电路,其特征在于:
所述放电电压是所述第一电压。
9.一种电源电路,其特征在于:包括根据权利要求1所述的升压电路。
10.一种液晶驱动装置,其特征在于:包括根据权利要求1所述的升压电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810087734.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:溶液的分离装置
- 下一篇:可互换的电筒-照明灯系统