[发明专利]升压电路、电源电路及液晶驱动装置无效

专利信息
申请号: 200810087734.2 申请日: 2005-01-20
公开(公告)号: CN101247077A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 西村元章 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02J1/00;G09G3/36
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;麻吉凤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 升压 电路 电源 液晶 驱动 装置
【说明书】:

本申请是申请号为200510002522.6,申请日为2005年1月20日,发明名称为升压电路、电源电路及液晶驱动装置的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及升压电路、电源电路及液晶驱动装置。

背景技术

对便携式电子设备人们越来越追求低功率消耗。因此配置在这种电子设备上的显示装置,也大多采用诸如液晶装置等。

不过驱动液晶装置需要高电压。因此,从成本的角度考虑,用于驱动液晶装置的液晶驱动装置最好内置有用于生成高电压的电源电路。这样的话,电源电路就要包括升压电路。作为这种升压电路,通过使用生成电压的所谓的电荷泵电路,实现低功率消耗的目的,该电荷泵电路的电压是基于电荷泵工作而升压的。

专利文献:特开2000-262045号公报

发明内容

电荷泵电路(广义上是指升压电路)通过将积蓄电荷的电容器一端通过转换元件[例如金属氧化膜半导体(Metal OxideSemiconductor:MOS)晶体管]连接到各种电压上,从而使与积蓄到该电容器的电荷对应的电压升压。因此,即使在电荷泵电路的工作停止时,电荷仍能保持工作中积蓄到电容器上的电荷。

但是,在构成液晶装置的像素的液晶上施加直流电压时,该液晶将劣化。从而,当停止生成液晶装置用电压的电荷泵电路的工作时,有必要以预定步骤进行放电工作来控制施加在液晶上的电压。

不过,构成电荷泵电路的MOS晶体管以所谓的三重势阱结构实现在半导体衬底上时,进行放电工作时,寄生双极型晶体管元件导通,往往会产生人们感觉不到的过电流。

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种用于电荷泵工作的MOS晶体管在以所谓的三重势阱结构实现时,能够可靠抑制放电过程中过电流产生的升压电路、电源电路及液晶驱动装置。

为了解决以上课题,本发明所涉及的升压电路,利用电荷泵工作而积蓄到电容器上的电荷生成升压电压,包括:第一-第N(N为大于或等于2的整数)晶体管,其用于进行电荷泵工作,所述第一晶体管的一端被提供有第一电压,各晶体管串联连接;以及第一-第N放电晶体管,用于放电与所述第一-第N晶体管连接的电容器的电荷,各放电晶体管的一端被提供有放电电压,各放电晶体管的另一端连接第K(1≤k≤N,k是整数)晶体管的源极侧或漏极侧,其中,所述第一-第N晶体管,形成在第一导电型的第一-第N势阱区上,所述第一导电型的第一-第N势阱区设置在第一导电型的半导体衬底的第二导电型的势阱区上,对所述第一-第N势阱区的反偏压被施加在所述第二导电型的势阱区上,所述第一-第N势阱区的各势阱区具有第二导电型的源极区和漏极区,所述第一-第N晶体管的各栅极通过绝缘膜设置在所述源极区和漏极区间的沟道区上,向第一势阱区的源极区或漏极区提供所述第一电压的同时,第(m-1)(2≤m≤N,m是整数)势阱区的漏极区或源极区和第m势阱区的源极区或漏极区电连接,第N势阱区的漏极区或源极区的电压作为所述升压电压被输出,在进行放电工作时,所述第一-第N放电晶体管的各放电晶体管一个一个被设定为导通状态或非导通状态。

此外,在本发明所涉及的升压电路中,所述第一晶体管,其一端被提供有所述第一电压,在第一期间向第一电容器的一端施加第一电压,所述第一电容器的另一端在所述第一期间具有第二电压,在第二期间具有所述第一电压,第I(2≤i≤N,N是大于或等于3的整数,i是偶数)晶体管,其一端连接在第(i-1)晶体管的另一端上,并在所述第二期间将第i电容器的一端连接在第(i-1)电容器的另一端上,所述第i电容器的另一端在所述第一期间具有所述第一电压,在所述第二期间具有所述第二电压,第j(3≤j≤N,j是奇数)晶体管,其一端连接在第(j-1)晶体管的另一端上,并将第j电容器的一端在所述第一期间连接在所述第(j-1)电容器的另一端上,所述第j电容器的另一端在所述第一期间具有所述第二电压,在所述第二期间具有所述第一电压。

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