[发明专利]应用HDP淀积的源－体注入阻挡块的器件结构及制造方法

权利要求书

1.一种制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该方法包括：

从半导体衬底的顶表面打开多个沟道，然后使用高密度等离子氧化方法 同时形成沟道底部的厚氧化层、沟道侧壁上的薄氧化层及衬底顶表面上的厚 氧化层，实行氧化湿刻蚀以刻去包围沟道的侧壁的薄氧化层以及沟道附近的 厚氧化层的一部分，仅留下台面区域中的厚氧化层及沟道底部的厚氧化层， 并且在所述沟道的侧壁上形成栅绝缘层；

用在台面区域的所述顶表面上方距所述沟道一定距离之处的厚氧化层形 成阻挡体注入离子和源离子进入台面下方的衬底的注入离子阻挡块，由此用 于制造所述半导体功率器件的掩模数能够得以减少；

所述的台面区域具有可控制的宽度；

以所述的注入离子阻挡块对台面区域进行阻挡，将体离子注入到所述半 导体衬底中；并将所述体离子扩散到一合并体区域中，该合并体区域是由设 置在沟道栅的相对两侧的两个分离体区域合并的。

2.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入离子阻挡块的步骤，进一步包括在所述台面区域中形成具有大于 0.3微米厚度的氧化层的步骤。

3.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入离子阻挡块的步骤，进一步包括应用化学气相淀积形成氧化层的 步骤。

4.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入离子阻挡块的步骤，进一步包括应用热氧化形成氧化层的步骤。

5.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，形成 所述的注入离子阻挡块的步骤，进一步包括应用高密度等离子淀积工艺淀积 台面区域中的氧化层的步骤。

6.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该方 法进一步包括：

应用高密度等离子淀积工艺在沟道栅的底表面上淀积具有大于衬垫沟道 栅侧壁的栅氧化层厚度的厚氧化层；和

应用所述的高密度等离子淀积工艺在所述沟道底表面上淀积厚氧化层的 同时，形成注入离子阻挡块，以形成作为台面区域中的注入离子阻挡块，且 具有大于0.3微米厚度的高密度等离子氧化层。

7.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该方 法进一步包括：制造金属氧化物半导体场效应晶体管器件，作为所述的半导 体功率器件。

8.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该方 法进一步包括：制造N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件，作为所述 的半导体功率器件。

9.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该方 法进一步包括：制造P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件，作为所述 的半导体功率器件。

10.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该 方法进一步包括：

在终端区域形成宽度大于台面区域上的注入离子阻挡块的注入离子阻挡 块，用以分离体离子注入区域以在所述终端区域中形成浮动的体区域，因此 在所述终端区域中由所述浮动的体区域包围的沟道中至少形成一个保护环。

11.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该 方法进一步包括：

以所述的台面区域上的注入离子阻挡块，注入和扩散体离子和源离子， 以形成包围所述沟道的体区域和源区域；和

刻蚀所述注入离子阻挡块的一部分，用于以比所述体区域更高的掺杂浓 度注入体掺杂离子，以在所述源区域和所述体区域之间形成高浓度掺杂区域， 从而形成集成的肖特基场效应晶体管。

12.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该 方法进一步包括：

在每个所述沟道中形成作为分裂栅的沟道栅，该分裂栅包括由绝缘层覆 盖的下栅节段和位于所述绝缘层上方的上栅节段。

13.如权利要求1所述的制造沟道半导体功率器件的方法，其特征在于，该 方法进一步包括：

应用高密度等离子淀积工艺在所述沟道的底表面上形成厚氧化层的同 时，形成注入离子阻挡块的高密度等离子氧化层，并在每个所述沟道中形成 分裂栅。