[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200810088947.7 | 申请日: | 2008-04-01 |
公开(公告)号: | CN101281893A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 森川成洋;稻叶裕一;后藤祐治 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,
该半导体装置包括半导体基板、配线层、层间绝缘膜、导电层和顶层配线层,该配线层形成在上述半导体基板的表面上,该层间绝缘膜形成为覆盖上述配线层,该导电层形成在上述层间绝缘膜内、并且与上述配线层电连接,该顶层配线层形成在上述层间绝缘膜上,并且通过上述导电层与上述配线层电连接;
上述层间绝缘膜由以蜂窝状配置多个平面形状为六边形的柱状层间绝缘膜而成的结构构成;
上述导电层形成为包围上述柱状层间绝缘膜的周围。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述半导体装置具有设备元件、和形成在上述配线层之下的与上述层间绝缘膜不同的层间绝缘膜,该设备元件形成在上述半导体基板的表面上;
上述设备元件和上述顶层配线层重叠配置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
上述顶层配线层是焊盘。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述半导体装置具有保护膜,该保护膜具有使上述顶层配线层的一部分露出的开口部;
上述配线层的图案面积形成为大于上述开口部的尺寸。
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